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具有气隙的半导体元件结构及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010698132.1
申请日：
2020-07-20
公开(公告)号：
CN112542446B
公开(公告)日：
2024-03-08
发明(设计)人：
黄则尧
申请人：
南亚科技股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新北市
IPC主分类号：
H01L23/528
IPC分类号：
H01L21/768
H10B12/00
代理机构：
隆天知识产权代理有限公司 72003
代理人：
聂慧荃;闫华
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-03-08 | 授权 | 授权 |