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具有气隙的半导体元件结构及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311566328.5
申请日：
2023-11-22
公开(公告)号：
CN119545783A
公开(公告)日：
2025-02-28
发明(设计)人：
黄至伟
申请人：
南亚科技股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新北市
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
隆天知识产权代理有限公司 72003
代理人：
李南山
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-02-28 | 公开 | 公开 |
| 2025-03-18 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20231122 |