共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
具有气隙结构的半导体元件结构及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110382821.6
申请日：
2021-04-09
公开(公告)号：
CN113540119A
公开(公告)日：
2021-10-22
发明(设计)人：
卢立翰
申请人：
申请人地址：
中国台湾新北市
IPC主分类号：
H01L2712
IPC分类号：
H01L2177
代理机构：
隆天知识产权代理有限公司 72003
代理人：
黄艳;郑特强
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-11-09 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20210409 |
| 2021-10-22 | 公开 | 公开 |