同位素电池和同位素电池的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311545322.X

申请日：

2023-11-16

公开(公告)号：

CN117577371A

公开(公告)日：

2024-02-20

发明(设计)人：

请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名

申请人：

中子科学研究院（重庆）有限公司

申请人地址：

401331 重庆市沙坪坝区高新区虎溪街道沙坪坝大学城中路36号2幢3-19

IPC主分类号：

G21H1/06

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

重庆市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G21H 1/06申请日:20231116
2024-06-28	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):G21H 1/06变更事项:申请人变更前:中子科学研究院（重庆）有限公司变更后:中子科学（重庆）研究院有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:401331 重庆市沙坪坝区高新区虎溪街道沙坪坝大学城中路36号2幢3-19变更后:401331 重庆市沙坪坝区高新区虎溪街道沙坪坝大学城中路36号2幢3-19
2024-02-20	公开	公开

共 50 条

[1]

柔性同位素源的制备方法及同位素电池 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119285818A ,2025-01-10

[2]

同位素电池 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN117497218A ,2024-02-02

[3]

摩擦发光同位素电池 [P].

何佳清 ;

周毅 ;

黎德龙 ;

娄晴 .

中国专利 :CN110491542A ,2019-11-22

[4]

辐射伏特同位素电池及制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN117438126A ,2024-01-23

[5]

同位素(α源)电池 [P].

王锁柱 .

中国专利 :CN102646456A ,2012-08-22

[6]

同位素制备方法 [P].

J.R.卡尔森 ;

P.博里特曾 .

中国专利 :CN105654999A ,2016-06-08

[7]

一种同位素电池的结构设计方法及同位素电池 [P].

桑雨柔 ;

何虎 ;

李鑫 ;

谷嘉琳 ;

韩露 .

中国专利 :CN119808364A ,2025-04-11

[8]

同位素制备方法 [P].

D.曼齐拉斯 ;

J.R.卡尔逊 ;

J.T.奥斯特拜 ;

J.O.弗伦维克 .

中国专利 :CN108472556B ,2018-08-31

[9]

同位素制备方法 [P].

J.R.卡尔森 ;

P.博里特曾 .

中国专利 :CN103003889A ,2013-03-27

[10]

同位素制备方法 [P].

D.曼茨拉斯 ;

J.R.卡尔松 ;

J.T.奥斯特比 .

中国专利 :CN108472555A ,2018-08-31

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