辐射伏特同位素电池及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311549492.5

申请日：

2023-11-17

公开(公告)号：

CN117438126A

公开(公告)日：

2024-01-23

发明(设计)人：

请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名

申请人：

中子科学研究院（重庆）有限公司

申请人地址：

401331 重庆市沙坪坝区高新区虎溪街道沙坪坝大学城中路36号2幢3-19

IPC主分类号：

G21H1/06

IPC分类号：

G21H1/00

代理机构：

北京瀚仁知识产权代理事务所(普通合伙) 11482

代理人：

魏赛楠

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

重庆市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-28	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):G21H 1/06变更事项:申请人变更前:中子科学研究院（重庆）有限公司变更后:中子科学（重庆）研究院有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:401331 重庆市沙坪坝区高新区虎溪街道沙坪坝大学城中路36号2幢3-19变更后:401331 重庆市沙坪坝区高新区虎溪街道沙坪坝大学城中路36号2幢3-19
2024-02-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G21H 1/06申请日:20231117
2024-01-23	公开	公开

共 50 条

[1]

同位素电池和同位素电池的制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN117577371A ,2024-02-20

[2]

一种柔性辐射伏特同位素电池 [P].

杨晓军 ;

陈继革 .

中国专利 :CN107103939A ,2017-08-29

[3]

一种辐射伏特同位素电池及其制备方法 [P].

刘业兵 ;

杨玉青 ;

罗顺忠 ;

胡睿 ;

徐建 ;

王关全 ;

李昊 ;

钟正坤 ;

魏洪源 .

中国专利 :CN104392761A ,2015-03-04

[4]

一种柔性辐射伏特式同位素电池 [P].

徐俊杰 ;

张佳辰 ;

吕坤伦 ;

张光辉 ;

唐军 .

中国专利 :CN118711871A ,2024-09-27

[5]

一种复合温差辐射伏特同位素电池及其制备方法 [P].

徐俊杰 ;

张佳辰 ;

吕坤伦 ;

张光辉 ;

唐军 .

中国专利 :CN118645280A ,2024-09-13

[6]

一种基于β辐射伏特效应的同位素电池 [P].

梁磊 ;

贾鹏 ;

秦莉 ;

雷宇鑫 ;

宋悦 ;

王玉冰 ;

邱橙 ;

王立军 .

中国专利 :CN115064296A ,2022-09-16

[7]

一种基于β辐射伏特效应的同位素电池 [P].

梁磊 ;

贾鹏 ;

秦莉 ;

雷宇鑫 ;

宋悦 ;

王玉冰 ;

邱橙 ;

王立军 .

中国专利 :CN115064296B ,2025-09-23

[8]

一种Ni-63石墨烯辐射伏特同位素电池及其制备方法 [P].

王晓彧 ;

周中权 ;

陈涛 ;

吴章华 ;

何厚军 ;

韩运成 ;

冯加明 .

中国专利 :CN120340928A ,2025-07-18

[9]

一种基于β辐射伏特效应GaAs基同位素电池 [P].

梁磊 ;

秦莉 ;

曾玉刚 ;

贾鹏 ;

宋悦 ;

王玉冰 ;

雷宇鑫 ;

邱橙 ;

王立军 .

中国专利 :CN115064297A ,2022-09-16

[10]

一种基于β辐射伏特效应GaAs基同位素电池 [P].

梁磊 ;

秦莉 ;

曾玉刚 ;

贾鹏 ;

宋悦 ;

王玉冰 ;

雷宇鑫 ;

邱橙 ;

王立军 .

中国专利 :CN115064297B ,2024-12-06

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