一种基于β辐射伏特效应的同位素电池

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专利类型
发明
申请号
CN202210800637.3
申请日
2022-07-08
公开(公告)号
CN115064296B
公开(公告)日
2025-09-23
发明(设计)人
梁磊 贾鹏 秦莉 雷宇鑫 宋悦 王玉冰 邱橙 王立军
申请人
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请人地址
130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
IPC主分类号
G21H1/06
IPC分类号
代理机构
长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218
代理人
陈陶
法律状态
授权
国省代码
北京市
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共 50 条
[1]
一种基于β辐射伏特效应的同位素电池 [P]. 
梁磊 ;
贾鹏 ;
秦莉 ;
雷宇鑫 ;
宋悦 ;
王玉冰 ;
邱橙 ;
王立军 .
中国专利 :CN115064296A ,2022-09-16
[2]
一种基于β辐射伏特效应GaAs基同位素电池 [P]. 
梁磊 ;
秦莉 ;
曾玉刚 ;
贾鹏 ;
宋悦 ;
王玉冰 ;
雷宇鑫 ;
邱橙 ;
王立军 .
中国专利 :CN115064297A ,2022-09-16
[3]
一种基于β辐射伏特效应GaAs基同位素电池 [P]. 
梁磊 ;
秦莉 ;
曾玉刚 ;
贾鹏 ;
宋悦 ;
王玉冰 ;
雷宇鑫 ;
邱橙 ;
王立军 .
中国专利 :CN115064297B ,2024-12-06
[4]
一种多晶硅β辐射伏特效应同位素电池 [P]. 
熊平 ;
郭萍 ;
李广 ;
谢玉琪 .
中国专利 :CN202677861U ,2013-01-16
[5]
一种基于氚源的条状PIN结型β辐射伏特效应同位素电池 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN115050503B ,2025-09-09
[6]
一种基于氚源的条状PIN结型β辐射伏特效应同位素电池 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN217982848U ,2022-12-06
[7]
一种基于氚源的条状PIN结型β辐射伏特效应同位素电池 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN115050503A ,2022-09-13
[8]
辐射伏特同位素电池及制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN117438126A ,2024-01-23
[9]
一种卷绕式辐射伏特效应放射性同位素电池 [P]. 
陈媛媛 ;
吕冬翔 ;
李轩 ;
阎勇 ;
周天 ;
袁承洋 ;
刘锐 ;
侯旭峰 ;
吴博涵 ;
王硕纯 ;
郭宇辰 ;
刘佳林 .
中国专利 :CN118919120A ,2024-11-08
[10]
一种柔性辐射伏特同位素电池 [P]. 
杨晓军 ;
陈继革 .
中国专利 :CN107103939A ,2017-08-29