大尺寸单分散性PbS半导体量子点的一步式合成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311505753.3

申请日：

2023-11-13

公开(公告)号：

CN117756170A

公开(公告)日：

2024-03-26

发明(设计)人：

宋立媛唐利斌毕一凡冯恒豪周允红朱亚安

申请人：

昆明物理研究所

申请人地址：

650000 云南省昆明市五华区教场东路31号

IPC主分类号：

C01G21/21

IPC分类号：

C09K11/66 B82Y20/00 B82Y30/00 B82Y40/00

代理机构：

昆明祥和知识产权代理有限公司 53114

代理人：

和琳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

云南省昆明市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01G 21/21申请日:20231113
2024-03-26	公开	公开
2025-08-12	授权	授权

共 50 条

[1]

大尺寸单分散性PbS半导体量子点的一步式合成方法 [P].

宋立媛 ;

唐利斌 ;

毕一凡 ;

冯恒豪 ;

周允红 ;

朱亚安 .

中国专利 :CN117756170B ,2025-08-12

[2]

单分散PbS量子点及其一步式合成方法和应用 [P].

高寒飞 ;

韩冰 ;

张超 ;

潘晓凡 ;

冯建平 .

中国专利 :CN119799331A ,2025-04-11

[3]

多次注射合成大尺寸、单分散PbS量子点方法、PbS量子点及其应用 [P].

高寒飞 ;

张超 ;

韩冰 ;

潘晓凡 ;

冯建平 .

中国专利 :CN119822404A ,2025-04-15

[4]

一种荧光半导体量子点的制备方法 [P].

陈苏 ;

佘兴金 ;

凌露霆 ;

党辉 .

中国专利 :CN106281328A ,2017-01-04

[5]

一种多功能半导体量子点及其合成方法与应用 [P].

安鑫 ;

朱舒晗 ;

张馨月 ;

李安琪 ;

唐栓 ;

张芊 ;

罗佳汶 ;

郭小淇 ;

卢红霞 ;

张珂皓 .

中国专利 :CN120272190A ,2025-07-08

[6]

一种利用荧光光谱测量半导体量子点尺寸分布的方法 [P].

陆卫 ;

杨希峰 ;

陈平平 ;

李天信 ;

甄红楼 ;

张波 ;

李宁 ;

李志锋 ;

陈效双 .

中国专利 :CN101251485A ,2008-08-27

[7]

一种基于半导体量子点的单光子源系统 [P].

刘冬梅 ;

顾婷婷 ;

陈乐乐 ;

李超 ;

臧庆 ;

周健 .

中国专利 :CN114486833B ,2024-03-15

[8]

一种基于半导体量子点的单光子源系统 [P].

刘冬梅 ;

顾婷婷 ;

陈乐乐 ;

李超 ;

臧庆 ;

周健 .

中国专利 :CN114486833A ,2022-05-13

[9]

基于半导体量子点的等效单光子源的产生系统及方法 [P].

谢欢文 ;

李记烽 ;

郭邦红 ;

胡敏 .

中国专利 :CN114389148A ,2022-04-22

[10]

一种PbS/ZnS核壳结构量子点的原位合成方法 [P].

孙立东 ;

张龙飞 ;

靳宇 .

中国专利 :CN110878202A ,2020-03-13

← 1 2 3 4 5 →