一种利用荧光光谱测量半导体量子点尺寸分布的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810035500.3

申请日：

2008-04-02

公开(公告)号：

CN101251485A

公开(公告)日：

2008-08-27

发明(设计)人：

陆卫杨希峰陈平平李天信甄红楼张波李宁李志锋陈效双

申请人：

申请人地址：

200083上海市玉田路500号

IPC主分类号：

G01N2164

IPC分类号：

G01B1100 G06F1710

代理机构：

上海新天专利代理有限公司

代理人：

郭英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-27	公开	公开
2009-11-11	授权	授权
2016-05-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101661880087 IPC(主分类):G01N 21/64 专利号:ZL2008100355003 申请日:20080402 授权公告日:20091111 终止日期:20150402
2008-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种荧光半导体量子点的制备方法 [P].

陈苏 ;

佘兴金 ;

凌露霆 ;

党辉 .

中国专利 :CN106281328A ,2017-01-04

[2]

含镉荧光半导体量子点的制备方法 [P].

朱明强 ;

刘金华 ;

樊俊兵 ;

徐晓波 .

中国专利 :CN101245247B ,2008-08-20

[3]

一种半导体量子点结构 [P].

刘胜威 ;

杨婷 ;

袁昌峰 .

中国专利 :CN222839235U ,2025-05-06

[4]

一种定量探测半导体量子点载流子浓度分布的方法 [P].

许杰 ;

陈龙 ;

陈剑锋 ;

蔡远凌云 ;

于天祺 .

中国专利 :CN110346607A ,2019-10-18

[5]

硅烷包裹Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的方法 [P].

宋振伟 ;

张建成 ;

沈悦 ;

陈丽霞 ;

尤陈霞 ;

颜浩 ;

俞本伟 .

中国专利 :CN101215467B ,2008-07-09

[6]

硫化镉半导体量子点的制备方法 [P].

陈淼 ;

娄文静 ;

王晓波 .

中国专利 :CN1986726A ,2007-06-27

[7]

一种采用疏水性半导体量子点制备多层荧光薄膜的方法 [P].

李春亮 ;

刘小慧 .

中国专利 :CN104629765A ,2015-05-20

[8]

一种采用疏水性半导体量子点制成荧光凝胶玻璃的方法 [P].

李春亮 ;

刘小慧 .

中国专利 :CN104371732A ,2015-02-25

[9]

半导体量子点的测量方法、测控系统及量子计算机 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

孔伟成 .

中国专利 :CN119535140A ,2025-02-28

[10]

半导体量子点的测量方法、测控系统及量子计算机 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

孔伟成 .

中国专利 :CN119716439B ,2025-11-18

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