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半导体结构及其制备方法、存储器及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202211280906.4
申请日：
2022-10-19
公开(公告)号：
CN117976671A
公开(公告)日：
2024-05-03
发明(设计)人：
邵光速
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L27/088
IPC分类号：
H10B12/00
H01L21/8234
代理机构：
代理人：
法律状态：
公开
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-05-03 | 公开 | 公开 |
| 2024-05-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/088申请日:20221019 |