一种电子器件的位移辐射效应仿真方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311610560.4

申请日：

2023-11-28

公开(公告)号：

CN117540688A

公开(公告)日：

2024-02-09

发明(设计)人：

李兴冀崔秀海杨剑群刘中利

申请人：

哈尔滨工业大学

申请人地址：

150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

G06F30/367

IPC分类号：

代理机构：

北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473

代理人：

包婷婷

法律状态：

公开

国省代码：

山东省威海市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种电子器件的单粒子效应仿真方法、介质和设备 [P].

王长鑫 ;

高会壮 ;

陈波 ;

武荣荣 .

中国专利 :CN115099116B ,2024-11-12

[2]

一种电子器件的单粒子效应仿真方法、介质和设备 [P].

王长鑫 ;

高会壮 ;

陈波 ;

武荣荣 .

中国专利 :CN115099116A ,2022-09-23

[3]

一种电子器件的制备方法及电子器件 [P].

杨志政 ;

王飞飞 ;

徐宝盈 ;

刘晓芳 ;

李健飞 ;

徐琦 .

中国专利 :CN118737956A ,2024-10-01

[4]

一种电子器件的制备方法及电子器件 [P].

郭大飞 ;

卜德冲 .

中国专利 :CN119118054A ,2024-12-13

[5]

一种电子器件的加工方法以及电子器件 [P].

唐昌胜 .

中国专利 :CN115250578B ,2025-08-01

[6]

一种电子器件的制备方法及电子器件 [P].

郭大飞 ;

卜德冲 .

中国专利 :CN119284831A ,2025-01-10

[7]

一种电子器件以及制造电子器件的方法 [P].

H·里夫卡 ;

E·A·H·M·斯特罗伊西 ;

M·巴克 ;

S·荣格曼 ;

M·H·克莱恩 .

中国专利 :CN100401518C ,2005-10-19

[8]

一种电子器件的制备方法及电子器件 [P].

郭大飞 ;

卜德冲 ;

王鹏 .

中国专利 :CN118108177A ,2024-05-31

[9]

一种电子器件的制备方法及电子器件 [P].

郭大飞 ;

卜德冲 .

中国专利 :CN119143074A ,2024-12-17

[10]

电子器件有限元模型的创建方法及电子器件的仿真方法 [P].

苏煜 ;

李亚琳 ;

喻鑫龙 ;

许庆 .

中国专利 :CN120218009A ,2025-06-27

← 1 2 3 4 5 →