一种电子器件的单粒子效应仿真方法、介质和设备

被引：0

申请号：

CN202210556300.2

申请日：

2022-05-19

公开(公告)号：

CN115099116A

公开(公告)日：

2022-09-23

发明(设计)人：

王长鑫高会壮陈波武荣荣

申请人：

申请人地址：

100085 北京市海淀区永定路50号

IPC主分类号：

G06F3025

IPC分类号：

G06F11902

代理机构：

北京风雅颂专利代理有限公司 11403

代理人：

李莎

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种电子器件的单粒子效应仿真方法、介质和设备 [P].

王长鑫 ;

高会壮 ;

陈波 ;

武荣荣 .

中国专利 :CN115099116B ,2024-11-12

[2]

电子器件大气中子单粒子效应预测方法及装置 [P].

张战刚 ;

雷志锋 ;

师谦 ;

岳龙 ;

黄云 ;

恩云飞 .

中国专利 :CN106650039A ,2017-05-10

[3]

基于单粒子效应的仿真方法和仿真装置 [P].

耿超 ;

姚文娇 ;

李洛宇 ;

李孝远 ;

罗春华 ;

刘天奇 .

中国专利 :CN104573187A ,2015-04-29

[4]

一种基于浮栅型MOS管的半导体器件单粒子效应仿真方法 [P].

薛玉雄 ;

王鹏 ;

曹荣幸 ;

李波 ;

蔡毓龙 ;

崔帅 ;

蒋煜琪 .

中国专利 :CN121009712A ,2025-11-25

[5]

一种倒封装器件单粒子效应测试方法、系统、设备和介质 [P].

赵培雄 ;

刘杰 ;

孙友梅 ;

闫晓宇 ;

杨金虎 .

中国专利 :CN115356610A ,2022-11-18

[6]

一种FDSOI器件热载流子效应与单粒子效应的耦合仿真方法 [P].

刘红侠 ;

严展鹏 ;

王树龙 ;

陈树鹏 ;

刘昌 ;

赵军伟 .

中国专利 :CN120611578A ,2025-09-09

[7]

一种单粒子效应的仿真方法及相关产品 [P].

陈柏宏 ;

李志强 ;

毕津顺 .

中国专利 :CN119180187A ,2024-12-24

[8]

一种电子器件的位移辐射效应仿真方法 [P].

李兴冀 ;

崔秀海 ;

杨剑群 ;

刘中利 .

中国专利 :CN117540688A ,2024-02-09

[9]

电子器件和形成电子器件的方法 [P].

皮特·莫昂 ;

P·范米尔贝克 ;

阿布舍克·班纳吉 .

中国专利 :CN110246894B ,2019-09-17

[10]

集成电路单粒子效应的高效仿真方法、装置和电子设备 [P].

郭燕萍 ;

卜建辉 ;

倪涛 ;

许婷 ;

李博 ;

王娟娟 ;

王春林 ;

程磊 .

中国专利 :CN117574811A ,2024-02-20

← 1 2 3 4 5 →