半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311580404.8
申请日
2023-11-24
公开(公告)号
CN118107080A
公开(公告)日
2024-05-31
发明(设计)人
高木保志 山下钦也 上野和起
申请人
三菱电机株式会社
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
B28D5/02
IPC分类号
B28D5/00 H01L21/683 H01L21/78
代理机构
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
何立波;张天舒
法律状态
发明专利申请公布后的撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P]. 
藤田努 ;
杉沢佳史 .
中国专利 :CN104425334B ,2015-03-18
[2]
半导体装置的制造方法、半导体制造装置以及半导体装置 [P]. 
秋好恭兵 ;
中西洋介 ;
山田胜 .
日本专利 :CN118658824A ,2024-09-17
[3]
半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
古贺信二 ;
太原润 .
日本专利 :CN118848209A ,2024-10-29
[4]
半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
杉沢佳史 .
中国专利 :CN103715117A ,2014-04-09
[5]
半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置 [P]. 
尾形义春 .
中国专利 :CN100352023C ,2005-05-04
[6]
半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P]. 
田中阳子 .
中国专利 :CN103871863A ,2014-06-18
[7]
半导体制造方法、半导体制造装置以及半导体装置 [P]. 
太駄俊彦 ;
黑泽哲也 ;
福田昌利 .
中国专利 :CN110310903A ,2019-10-08
[8]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
黑泽哲也 .
中国专利 :CN112530820A ,2021-03-19
[9]
半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置 [P]. 
岩尾文子 .
中国专利 :CN102630335A ,2012-08-08
[10]
半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置 [P]. 
小岛康彦 ;
池田太郎 ;
波多野达夫 .
中国专利 :CN101490818B ,2009-07-22