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半导体制造装置及半导体装置的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010756618.6
申请日
:
2020-07-31
公开(公告)号
:
CN112530820A
公开(公告)日
:
2021-03-19
发明(设计)人
:
黑泽哲也
申请人
:
申请人地址
:
日本东京
IPC主分类号
:
H01L21603
IPC分类号
:
代理机构
:
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
:
徐殿军
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-04-06
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/603 申请日:20200731
2021-03-19
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体制造方法、半导体制造装置以及半导体装置
[P].
太駄俊彦
论文数:
0
引用数:
0
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0
太駄俊彦
;
黑泽哲也
论文数:
0
引用数:
0
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0
黑泽哲也
;
福田昌利
论文数:
0
引用数:
0
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0
福田昌利
.
中国专利
:CN110310903A
,2019-10-08
[2]
半导体装置的制造方法以及半导体制造装置
[P].
藤田努
论文数:
0
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0
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0
藤田努
;
杉沢佳史
论文数:
0
引用数:
0
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0
杉沢佳史
.
中国专利
:CN104425334B
,2015-03-18
[3]
半导体装置的制造方法及半导体制造装置
[P].
中岛一敬
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
中岛一敬
;
野尻祐二
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
野尻祐二
;
野口贵也
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
野口贵也
.
日本专利
:CN119069387A
,2024-12-03
[4]
半导体装置的制造方法及半导体制造装置
[P].
深山真哉
论文数:
0
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0
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0
深山真哉
;
尾山幸史
论文数:
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0
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0
尾山幸史
;
村上和博
论文数:
0
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0
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0
村上和博
.
中国专利
:CN105990205B
,2016-10-05
[5]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法
[P].
山本贵章
论文数:
0
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0
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0
山本贵章
;
野元拓也
论文数:
0
引用数:
0
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0
野元拓也
.
中国专利
:CN115148618A
,2022-10-04
[6]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法
[P].
山本贵章
论文数:
0
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0
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机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
山本贵章
;
野元拓也
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
野元拓也
.
日本专利
:CN115148618B
,2025-12-26
[7]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法
[P].
柚木幸平
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
铠侠股份有限公司
铠侠股份有限公司
柚木幸平
;
野岛和弘
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
铠侠股份有限公司
铠侠股份有限公司
野岛和弘
;
丹羽惠一
论文数:
0
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0
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0
机构:
铠侠股份有限公司
铠侠股份有限公司
丹羽惠一
;
大野天颂
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
铠侠股份有限公司
铠侠股份有限公司
大野天颂
.
日本专利
:CN119601498A
,2025-03-11
[8]
半导体制造装置、半导体装置的制造方法
[P].
高野勇佑
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
铠侠股份有限公司
铠侠股份有限公司
高野勇佑
;
黑泽哲也
论文数:
0
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0
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0
机构:
铠侠股份有限公司
铠侠股份有限公司
黑泽哲也
;
古市勇斗
论文数:
0
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0
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机构:
铠侠股份有限公司
铠侠股份有限公司
古市勇斗
.
日本专利
:CN120184104A
,2025-06-20
[9]
半导体制造装置和半导体制造方法
[P].
冈部庸之
论文数:
0
引用数:
0
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冈部庸之
;
金子健吾
论文数:
0
引用数:
0
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0
金子健吾
.
中国专利
:CN100462887C
,2006-03-22
[10]
半导体制造装置及制造方法
[P].
甲斐稔
论文数:
0
引用数:
0
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0
甲斐稔
.
中国专利
:CN107424942B
,2017-12-01
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