半导体制造装置及半导体装置的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010756618.6
申请日
2020-07-31
公开(公告)号
CN112530820A
公开(公告)日
2021-03-19
发明(设计)人
黑泽哲也
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L21603
IPC分类号
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
徐殿军
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体制造方法、半导体制造装置以及半导体装置 [P]. 
太駄俊彦 ;
黑泽哲也 ;
福田昌利 .
中国专利 :CN110310903A ,2019-10-08
[2]
半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P]. 
藤田努 ;
杉沢佳史 .
中国专利 :CN104425334B ,2015-03-18
[3]
半导体装置的制造方法及半导体制造装置 [P]. 
中岛一敬 ;
野尻祐二 ;
野口贵也 .
日本专利 :CN119069387A ,2024-12-03
[4]
半导体装置的制造方法及半导体制造装置 [P]. 
深山真哉 ;
尾山幸史 ;
村上和博 .
中国专利 :CN105990205B ,2016-10-05
[5]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
山本贵章 ;
野元拓也 .
中国专利 :CN115148618A ,2022-10-04
[6]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
山本贵章 ;
野元拓也 .
日本专利 :CN115148618B ,2025-12-26
[7]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
柚木幸平 ;
野岛和弘 ;
丹羽惠一 ;
大野天颂 .
日本专利 :CN119601498A ,2025-03-11
[8]
半导体制造装置、半导体装置的制造方法 [P]. 
高野勇佑 ;
黑泽哲也 ;
古市勇斗 .
日本专利 :CN120184104A ,2025-06-20
[9]
半导体制造装置和半导体制造方法 [P]. 
冈部庸之 ;
金子健吾 .
中国专利 :CN100462887C ,2006-03-22
[10]
半导体制造装置及制造方法 [P]. 
甲斐稔 .
中国专利 :CN107424942B ,2017-12-01