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半导体制造装置、半导体装置的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411133665.X
申请日：
2024-08-19
公开(公告)号：
CN120184104A
公开(公告)日：
2025-06-20
发明(设计)人：
高野勇佑
黑泽哲也
古市勇斗
申请人：
铠侠股份有限公司
申请人地址：
日本
IPC主分类号：
H01L23/32
IPC分类号：
H01L21/50
代理机构：
北京市中咨律师事务所 11247
代理人：
梅也;段承恩
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-06-20 | 公开 | 公开 |
| 2025-07-08 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/32申请日:20240819 |