一种硅负极材料及其制备方法和应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311868780.7
申请日
2023-12-29
公开(公告)号
CN117810425A
公开(公告)日
2024-04-02
发明(设计)人
邬素月 宋鹏元 张顺 张钟元 徐建龙
申请人
惠州亿纬锂能股份有限公司
申请人地址
516000 广东省惠州市仲恺高新区惠风七路38号
IPC主分类号
H01M4/36
IPC分类号
H01M4/38 H01M4/62 H01M4/134 H01M10/0525 C23C16/02 C23C16/26 C23C16/30
代理机构
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
黎欣
法律状态
公开
国省代码
江苏省 常州市
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共 50 条
[1]
一种硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
康少冉 ;
陶刚义 ;
毕明锋 ;
闫鹏 ;
陈斌 ;
黄初 ;
杨林涛 ;
黎鹏 ;
刘月颖 ;
刘世民 ;
曾强 .
中国专利 :CN119092677A ,2024-12-06
[2]
一种硅负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
王岩 ;
曹峰 .
中国专利 :CN121054654A ,2025-12-02
[3]
一种硅负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
任强 ;
张静静 ;
宋庆国 ;
胡文锦 ;
吴志 .
中国专利 :CN115172685B ,2025-04-29
[4]
一种硅负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
郑银坤 ;
孙语蔚 ;
李卓杰 ;
刘婵 ;
侯敏 ;
曹辉 .
中国专利 :CN117352704A ,2024-01-05
[5]
一种硅负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
郑银坤 ;
孙语蔚 ;
李卓杰 ;
刘婵 ;
侯敏 ;
曹辉 .
中国专利 :CN117352704B ,2024-06-25
[6]
一种硅负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
郑银坤 ;
孙语蔚 ;
王金钻 ;
侯敏 ;
曹辉 .
中国专利 :CN115548325A ,2022-12-30
[7]
一种多孔碳硅负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
马存双 ;
赵育松 ;
刘祥哲 .
中国专利 :CN120149359A ,2025-06-13
[8]
一种多孔硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
张宇飞 ;
杨志伟 ;
刘柏男 ;
陆浩 ;
罗飞 .
中国专利 :CN119324206A ,2025-01-17
[9]
硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
叶翠翠 ;
卢陈杰 ;
林宗玺 ;
周怡 ;
瞿赢定 ;
杜宁 ;
岳敏 .
中国专利 :CN118630158A ,2024-09-10
[10]
硅负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
吴士超 ;
赵子云 ;
兰丹妮 ;
杨全红 ;
洪响 .
中国专利 :CN117673280A ,2024-03-08