发光元件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201980038069.4
申请日
2019-06-05
公开(公告)号
CN112272906B
公开(公告)日
2024-03-15
发明(设计)人
青木优太 广瀬和义 大河原悟
申请人
浜松光子学株式会社
申请人地址
日本静冈县
IPC主分类号
H01S5/18
IPC分类号
代理机构
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322
代理人
杨琦
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
发光元件 [P]. 
青木优太 ;
广瀬和义 ;
大河原悟 .
中国专利 :CN112272906A ,2021-01-26
[2]
发光元件 [P]. 
青木优太 ;
广瀬和义 ;
大河原悟 .
日本专利 :CN112335145B ,2024-05-28
[3]
发光元件 [P]. 
青木优太 ;
广瀬和义 ;
大河原悟 .
中国专利 :CN112335145A ,2021-02-05
[4]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
园部雅之 ;
伊藤范和 ;
酒井光彦 .
中国专利 :CN101322253A ,2008-12-10
[5]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
田中治夫 ;
园部雅之 .
中国专利 :CN101180743A ,2008-05-14
[6]
发光元件 [P]. 
成演准 ;
丁圣勋 ;
成俊昊 ;
赵喜珍 .
中国专利 :CN105518879A ,2016-04-20
[7]
发光元件 [P]. 
林鼎洋 ;
欧震 ;
赖世国 .
中国专利 :CN101290957B ,2008-10-22
[8]
发光元件 [P]. 
森田大介 ;
山田元量 .
中国专利 :CN1176500C ,2003-04-09
[9]
发光元件 [P]. 
神谷真央 ;
坊山晋也 ;
牛田泰久 .
中国专利 :CN102386295A ,2012-03-21
[10]
发光元件和发光元件的制造方法 [P]. 
细川泰伸 .
中国专利 :CN113964245A ,2022-01-21