氮化物半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680017911.9

申请日：

2006-05-23

公开(公告)号：

CN101180743A

公开(公告)日：

2008-05-14

发明(设计)人：

田中治夫园部雅之

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01S5183

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-05-14	公开	公开
2008-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-11-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光元件 [P].

园部雅之 ;

伊藤范和 ;

酒井光彦 .

中国专利 :CN101322253A ,2008-12-10

[2]

氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光装置 [P].

佐藤恒辅 .

中国专利 :CN110391320B ,2019-10-29

[3]

氮化物半导体发光元件及其制造方法 [P].

笔田麻佑子 .

中国专利 :CN101645482B ,2010-02-10

[4]

氮化物半导体发光元件 [P].

黄宝亿 ;

朱广敏 ;

付小朝 ;

季辉 ;

丁晓民 .

中国专利 :CN101207167B ,2008-06-25

[5]

氮化物半导体发光元件 [P].

谷善彦 ;

竹冈忠士 ;

栗栖彰宏 ;

花本哲也 ;

马修.先尼 .

中国专利 :CN104272477B ,2015-01-07

[6]

氮化物半导体发光元件 [P].

小幡俊之 .

中国专利 :CN105009310A ,2015-10-28

[7]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

日本专利 :CN114388665B ,2025-06-27

[8]

氮化物半导体发光元件 [P].

驹田聪 .

中国专利 :CN102097551B ,2011-06-15

[9]

氮化物半导体发光元件 [P].

川口靖利 ;

吉田真治 ;

冈口贵大 ;

中泽崇一 ;

林茂生 ;

畑雅幸 .

日本专利 :CN117837035A ,2024-04-05

[10]

氮化物半导体发光元件 [P].

赖志成 .

中国专利 :CN102024885A ,2011-04-20

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