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高阶补偿带隙电压基准电路
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202210985150.7
申请日
:
2022-08-17
公开(公告)号
:
CN115437442B
公开(公告)日
:
2024-03-19
发明(设计)人
:
魏娟
王策
李国
李宗霖
万辉
申请人
:
成都华微电子科技股份有限公司
申请人地址
:
610000 四川省成都市高新区益州大道中段1800号1栋22层
IPC主分类号
:
G05F1/56
IPC分类号
:
代理机构
:
成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215
代理人
:
刘勋
法律状态
:
授权
国省代码
:
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-03-19
授权
授权
共 50 条
[1]
高阶补偿带隙电压基准电路
[P].
魏娟
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魏娟
;
王策
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王策
;
李国
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李国
;
李宗霖
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李宗霖
;
万辉
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万辉
.
中国专利
:CN115437442A
,2022-12-06
[2]
具有高阶温度补偿的带隙基准电压生成电路
[P].
张维承
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张维承
;
张俊
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张俊
.
中国专利
:CN112947668B
,2021-06-11
[3]
带隙电压基准电路
[P].
刘帘曦
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刘帘曦
;
牛越
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牛越
;
刘术彬
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刘术彬
;
杨银堂
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杨银堂
.
中国专利
:CN103941792B
,2014-07-23
[4]
带隙电压基准电路
[P].
孙恬静
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机构:
杭州深谙微电子科技有限公司
杭州深谙微电子科技有限公司
孙恬静
;
陈雷铖
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机构:
杭州深谙微电子科技有限公司
杭州深谙微电子科技有限公司
陈雷铖
;
卫梦昭
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机构:
杭州深谙微电子科技有限公司
杭州深谙微电子科技有限公司
卫梦昭
.
中国专利
:CN115599158B
,2025-12-05
[5]
带隙电压基准电路
[P].
孙恬静
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孙恬静
;
陈雷铖
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陈雷铖
;
卫梦昭
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卫梦昭
.
中国专利
:CN115599158A
,2023-01-13
[6]
带隙电压基准电路
[P].
L·富
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L·富
;
E·露琛茹
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E·露琛茹
.
中国专利
:CN103299250B
,2013-09-11
[7]
用于带隙电压基准电路的曲率补偿电路
[P].
U·埃克哈特
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
U·埃克哈特
.
美国专利
:CN118349063A
,2024-07-16
[8]
带隙基准电路及带隙基准电路的电压补偿方法
[P].
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机构:
王晶
;
何志远
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机构:
中国科学技术大学
中国科学技术大学
何志远
;
论文数:
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机构:
程林
.
中国专利
:CN120029406A
,2025-05-23
[9]
高阶温度补偿带隙基准电压源
[P].
奚冬杰
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奚冬杰
;
李现坤
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李现坤
;
李健
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李健
.
中国专利
:CN106647916A
,2017-05-10
[10]
带隙基准电压产生电路
[P].
马亮
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马亮
;
张登军
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张登军
;
查小芳
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查小芳
.
中国专利
:CN111752328A
,2020-10-09
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