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一种超结器件及电子器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202310648996.6
申请日
:
2023-06-02
公开(公告)号
:
CN116613190B
公开(公告)日
:
2024-05-31
发明(设计)人
:
栗终盛
柴展
罗杰馨
申请人
:
上海功成半导体科技有限公司
申请人地址
:
201800 上海市嘉定区兴文路1277号5幢1层、2层
IPC主分类号
:
H01L29/06
IPC分类号
:
H01L29/78
代理机构
:
上海欣创专利商标事务所(普通合伙) 31217
代理人
:
包宇霆
法律状态
:
授权
国省代码
:
上海市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-05-31
授权
授权
共 50 条
[1]
超结器件
[P].
曾大杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
南通尚阳通集成电路有限公司
南通尚阳通集成电路有限公司
曾大杰
.
中国专利
:CN112864244B
,2024-08-27
[2]
超结器件
[P].
曾大杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
曾大杰
.
中国专利
:CN112864244A
,2021-05-28
[3]
超结器件制造方法及超结器件
[P].
赵圣哲
论文数:
0
引用数:
0
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0
赵圣哲
.
中国专利
:CN106298480A
,2017-01-04
[4]
超结器件及其制作方法和电子器件
[P].
栗终盛
论文数:
0
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0
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机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
栗终盛
;
柴展
论文数:
0
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0
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机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
柴展
;
罗杰馨
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
罗杰馨
.
中国专利
:CN116053300B
,2024-01-05
[5]
电子器件及电子器件制造方法
[P].
杨宇
论文数:
0
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0
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0
杨宇
;
占奇志
论文数:
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0
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0
占奇志
.
中国专利
:CN103493198A
,2014-01-01
[6]
超结器件及其制造方法
[P].
曾大杰
论文数:
0
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0
曾大杰
.
中国专利
:CN112864246A
,2021-05-28
[7]
超结器件及其制造方法
[P].
肖胜安
论文数:
0
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肖胜安
;
曾大杰
论文数:
0
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0
曾大杰
.
中国专利
:CN107768443A
,2018-03-06
[8]
超结器件及其制造方法
[P].
曾大杰
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
南通尚阳通集成电路有限公司
南通尚阳通集成电路有限公司
曾大杰
.
中国专利
:CN112864246B
,2024-04-02
[9]
一种超结器件的制造方法及超结器件
[P].
陈志聪
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0
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0
陈志聪
;
刘志斌
论文数:
0
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0
刘志斌
;
徐国刚
论文数:
0
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0
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徐国刚
.
中国专利
:CN106876469B
,2017-06-20
[10]
电子器件用构件及电子器件
[P].
小久保真生子
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
TDK株式会社
TDK株式会社
小久保真生子
;
原晋治
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机构:
TDK株式会社
TDK株式会社
原晋治
;
太田尚城
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机构:
TDK株式会社
TDK株式会社
太田尚城
;
青木进
论文数:
0
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机构:
TDK株式会社
TDK株式会社
青木进
.
日本专利
:CN119729999A
,2025-03-28
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