一种超结器件及电子器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202310648996.6
申请日
2023-06-02
公开(公告)号
CN116613190B
公开(公告)日
2024-05-31
发明(设计)人
栗终盛 柴展 罗杰馨
申请人
上海功成半导体科技有限公司
申请人地址
201800 上海市嘉定区兴文路1277号5幢1层、2层
IPC主分类号
H01L29/06
IPC分类号
H01L29/78
代理机构
上海欣创专利商标事务所(普通合伙) 31217
代理人
包宇霆
法律状态
授权
国省代码
上海市 市辖区
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共 50 条
[1]
超结器件 [P]. 
曾大杰 .
中国专利 :CN112864244B ,2024-08-27
[2]
超结器件 [P]. 
曾大杰 .
中国专利 :CN112864244A ,2021-05-28
[3]
超结器件制造方法及超结器件 [P]. 
赵圣哲 .
中国专利 :CN106298480A ,2017-01-04
[4]
超结器件及其制作方法和电子器件 [P]. 
栗终盛 ;
柴展 ;
罗杰馨 .
中国专利 :CN116053300B ,2024-01-05
[5]
电子器件及电子器件制造方法 [P]. 
杨宇 ;
占奇志 .
中国专利 :CN103493198A ,2014-01-01
[6]
超结器件及其制造方法 [P]. 
曾大杰 .
中国专利 :CN112864246A ,2021-05-28
[7]
超结器件及其制造方法 [P]. 
肖胜安 ;
曾大杰 .
中国专利 :CN107768443A ,2018-03-06
[8]
超结器件及其制造方法 [P]. 
曾大杰 .
中国专利 :CN112864246B ,2024-04-02
[9]
一种超结器件的制造方法及超结器件 [P]. 
陈志聪 ;
刘志斌 ;
徐国刚 .
中国专利 :CN106876469B ,2017-06-20
[10]
电子器件用构件及电子器件 [P]. 
小久保真生子 ;
原晋治 ;
太田尚城 ;
青木进 .
日本专利 :CN119729999A ,2025-03-28