一种1T1T双共栅界面修饰神经形态器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311669815.4

申请日：

2023-12-04

公开(公告)号：

CN117677210A

公开(公告)日：

2024-03-08

发明(设计)人：

郑朝月陈希明周洁宋万科

申请人：

电子科技大学长三角研究院（湖州）

申请人地址：

313000 浙江省湖州市西塞山路819号科技创新综合体B1幢

IPC主分类号：

H10K10/46

IPC分类号：

H10K19/10 H10K71/00 G06N3/04

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

唐莉梅

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-08	公开	公开
2024-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10K 10/46申请日:20231204

共 50 条

[1]

一种共栅型神经形态器件阵列及其制备方法 [P].

郑朝月 ;

陈希明 ;

宋万科 ;

周洁 .

中国专利 :CN117641945A ,2024-03-01

[2]

一种双离子栅型神经形态器件及其制备方法 [P].

孟佳琳 ;

王天宇 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN114005939B ,2025-10-17

[3]

一种双离子栅型神经形态器件及其制备方法 [P].

孟佳琳 ;

王天宇 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN114005939A ,2022-02-01

[4]

一种痛觉神经形态器件及其制备方法 [P].

苏琳琳 ;

刘逸龙 ;

李欣蔚 ;

杨成东 .

中国专利 :CN118251118A ,2024-06-25

[5]

一种柔性神经形态器件、制备方法及其阵列 [P].

陈心满 ;

孟瑶 ;

陈运凯 ;

林金文 ;

章勇 .

中国专利 :CN118867009A ,2024-10-29

[6]

一种新型同源神经形态器件及其制备方法 [P].

王天宇 ;

孟佳琳 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN117727796A ,2024-03-19

[7]

一种半导体器件、共源共栅级联器件及其制备方法 [P].

陈雪磊 ;

刘庆波 ;

刘杉 ;

黎子兰 .

中国专利 :CN115440810A ,2022-12-06

[8]

一种具有光屏蔽效应的神经形态器件及其制备方法 [P].

郑朝月 ;

陈希明 ;

宋万科 ;

刘欢 ;

杨亚杰 ;

李世彬 .

中国专利 :CN115768134B ,2025-10-03

[9]

一种双界面修饰层钙钛矿纳米晶发光器件及其制备方法 [P].

张佳旗 ;

高龙 ;

郑伟涛 ;

张晓宇 .

中国专利 :CN112786800A ,2021-05-11

[10]

一种反铁电神经形态器件及其制备方法 [P].

陈琳 ;

徐康力 ;

王天宇 ;

孟佳琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN118922058A ,2024-11-08

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