一种反铁电神经形态器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410974708.0

申请日：

2024-07-19

公开(公告)号：

CN118922058A

公开(公告)日：

2024-11-08

发明(设计)人：

陈琳徐康力王天宇孟佳琳孙清清张卫

申请人：

复旦大学上海集成电路制造创新中心有限公司

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H10N70/00

IPC分类号：

H10N70/20

代理机构：

上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286

代理人：

黄海霞

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-08	公开	公开
2024-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20240719

共 50 条

[1]

一种基于反铁电材料神经形态器件的制备方法 [P].

孙林锋 ;

杨栋梁 .

中国专利 :CN119730712A ,2025-03-28

[2]

一种反铁电人工神经元器件及其制备方法 [P].

陈琳 ;

徐康力 ;

王天宇 ;

孟佳琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN118922057A ,2024-11-08

[3]

一种双离子栅型神经形态器件及其制备方法 [P].

孟佳琳 ;

王天宇 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN114005939B ,2025-10-17

[4]

一种双离子栅型神经形态器件及其制备方法 [P].

孟佳琳 ;

王天宇 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN114005939A ,2022-02-01

[5]

一种具有高整流比和高选择性的神经形态器件及其制备方法 [P].

陈琳 ;

路宸 ;

孟佳琳 ;

王天宇 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN118922060A ,2024-11-08

[6]

基于铁电畴反转的两端神经形态器件 [P].

葛琛 ;

孙勤超 ;

金奎娟 .

中国专利 :CN113257996A ,2021-08-13

[7]

一种痛觉神经形态器件及其制备方法 [P].

苏琳琳 ;

刘逸龙 ;

李欣蔚 ;

杨成东 .

中国专利 :CN118251118A ,2024-06-25

[8]

一种全光学调控电导的神经形态忆阻器及其制备方法 [P].

陈琳 ;

路宸 ;

孟佳琳 ;

王天宇 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN118946253A ,2024-11-12

[9]

一种反铁电陶瓷及还原气氛下烧结制备反铁电陶瓷的方法 [P].

孙宏辰 ;

王晓智 ;

徐卓 ;

栾鹏 ;

徐然 .

中国专利 :CN116813337B ,2024-07-19

[10]

一种光控神经突触仿生电子器件及其制备方法 [P].

王燕 ;

韩素婷 ;

周晔 ;

陈锦锐 ;

王展鹏 .

中国专利 :CN109037388B ,2018-12-18

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