一种反铁电人工神经元器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410974686.8
申请日
2024-07-19
公开(公告)号
CN118922057A
公开(公告)日
2024-11-08
发明(设计)人
陈琳 徐康力 王天宇 孟佳琳 孙清清 张卫
申请人
复旦大学 上海集成电路制造创新中心有限公司
申请人地址
200433 上海市杨浦区邯郸路220号
IPC主分类号
H10N70/00
IPC分类号
H10N70/20 G06N3/063
代理机构
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286
代理人
黄海霞
法律状态
公开
国省代码
上海市 市辖区
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共 50 条
[1]
一种反铁电神经形态器件及其制备方法 [P]. 
陈琳 ;
徐康力 ;
王天宇 ;
孟佳琳 ;
孙清清 ;
张卫 .
中国专利 :CN118922058A ,2024-11-08
[2]
一种具备双重记忆特性的人工神经元器件及其制备方法 [P]. 
蒋程鹏 ;
叶新宇 ;
张煜 ;
朱大鹏 .
中国专利 :CN120957421A ,2025-11-14
[3]
一种柔性可重构神经元器件及其制备方法 [P]. 
王天宇 ;
孟佳琳 ;
陈琳 ;
孙清清 ;
张卫 .
中国专利 :CN115101668A ,2022-09-23
[4]
一种人工触觉神经元器件 [P]. 
王璐 ;
张鹏 ;
高志强 ;
温殿忠 .
中国专利 :CN222088082U ,2024-11-29
[5]
基于离子门调控的可重构神经元器件及其制备方法 [P]. 
赵雪峰 ;
邢国忠 ;
王迪 ;
王紫崴 ;
刘龙 ;
林淮 ;
张昊 .
中国专利 :CN114649468A ,2022-06-21
[6]
堆叠神经元器件结构及其制作方法 [P]. 
肖德元 .
中国专利 :CN112885830A ,2021-06-01
[7]
集成人工神经元器件和集成电路 [P]. 
P·加利 ;
T·贝德卡尔拉茨 .
中国专利 :CN207319273U ,2018-05-04
[8]
用于集成人工神经元器件的不应电路 [P]. 
P·加利 ;
T·贝德卡尔拉茨 .
中国专利 :CN108629404B ,2018-10-09
[9]
基于磁性斯格明子的人工神经元器件及其制备与使用方法 [P]. 
金蒙豪 ;
吴佳乐 ;
卢杰 ;
周铁军 .
中国专利 :CN118284316A ,2024-07-02
[10]
神经元系统、感光类神经元器件及其制作方法和应用 [P]. 
邵琳 ;
赵建文 ;
崔铮 .
中国专利 :CN111628038B ,2020-09-04