一种具备双重记忆特性的人工神经元器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510876546.1

申请日：

2025-06-27

公开(公告)号：

CN120957421A

公开(公告)日：

2025-11-14

发明(设计)人：

蒋程鹏叶新宇张煜朱大鹏

申请人：

杭州市北京航空航天大学国际创新研究院（北京航空航天大学国际创新学院）

申请人地址：

311100 浙江省杭州市余杭区瓶窑镇双红桥街166号

IPC主分类号：

H10B43/35

IPC分类号：

H10D84/83 H10D84/01

代理机构：

杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250

代理人：

陈靖康

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 43/35申请日:20250627
2025-11-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种反铁电人工神经元器件及其制备方法 [P].

陈琳 ;

徐康力 ;

王天宇 ;

孟佳琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN118922057A ,2024-11-08

[2]

一种柔性可重构神经元器件及其制备方法 [P].

王天宇 ;

孟佳琳 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN115101668A ,2022-09-23

[3]

基于磁性斯格明子的人工神经元器件及其制备与使用方法 [P].

金蒙豪 ;

吴佳乐 ;

卢杰 ;

周铁军 .

中国专利 :CN118284316A ,2024-07-02

[4]

堆叠神经元器件结构及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN112885830A ,2021-06-01

[5]

一种人工触觉神经元器件 [P].

王璐 ;

张鹏 ;

高志强 ;

温殿忠 .

中国专利 :CN222088082U ,2024-11-29

[6]

一种基于相变纳米颗粒镶嵌氮化物的人工神经元器件 [P].

曾飞 ;

万钦 .

中国专利 :CN111667059B ,2020-09-15

[7]

一种基于磁性隧道结的人工神经元器件及应用 [P].

曾柯心 ;

涂华垚 ;

雒雁翔 ;

吴宇轩 ;

张宝顺 ;

曾中明 .

中国专利 :CN115589766A ,2023-01-10

[8]

基于多侧栅突触器件的人工感觉神经元结构及其制备方法 [P].

曾明月 ;

万青 .

中国专利 :CN112949843A ,2021-06-11

[9]

一种神经元器件及神经网络 [P].

宋三年 ;

宋志棠 ;

张中华 ;

成岩 ;

蔡道林 .

中国专利 :CN103530690A ,2014-01-22

[10]

一种基于OECT的人工神经突触及其制备方法 [P].

黄伟 ;

吴儒桦 ;

解淼 ;

程玉华 .

中国专利 :CN115656298A ,2023-01-31

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