一种基于反铁电材料神经形态器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411925933.1

申请日：

2024-12-25

公开(公告)号：

CN119730712A

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

孙林锋杨栋梁

申请人：

北京理工大学

申请人地址：

100081 北京市海淀区中关村南大街5号

IPC主分类号：

H10N70/00

IPC分类号：

代理机构：

四川知航弘鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 51437

代理人：

张敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20241225
2025-03-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种反铁电神经形态器件及其制备方法 [P].

陈琳 ;

徐康力 ;

王天宇 ;

孟佳琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN118922058A ,2024-11-08

[2]

基于铁电畴反转的两端神经形态器件 [P].

葛琛 ;

孙勤超 ;

金奎娟 .

中国专利 :CN113257996A ,2021-08-13

[3]

基于铁电相/反铁电相多相薄膜的铁电器件及其制备方法 [P].

周益春 ;

贾世杰 ;

廖佳佳 ;

廖敏 .

中国专利 :CN115633507A ,2023-01-20

[4]

神经形态器件以及神经形态器件的控制方法 [P].

寺崎幸夫 .

日本专利 :CN118804674A ,2024-10-18

[5]

一种基于轧膜工艺的PZT基反铁电材料及其制备方法 [P].

杨同青 ;

王修才 ;

沈杰 .

中国专利 :CN106187181A ,2016-12-07

[6]

一种柔性神经形态器件、制备方法及其阵列 [P].

陈心满 ;

孟瑶 ;

陈运凯 ;

林金文 ;

章勇 .

中国专利 :CN118867009A ,2024-10-29

[7]

一种铁电半导体结型神经形态忆阻器件及其制备方法 [P].

王天宇 ;

孟佳琳 ;

何振宇 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN115084363A ,2022-09-20

[8]

无铅反铁电材料及其制备方法 [P].

郭益平 ;

顾明元 .

中国专利 :CN101921109A ,2010-12-22

[9]

基于反铁电材料的性能测试装置 [P].

高景霞 ;

孙彩霞 ;

李慧 ;

张金平 ;

张洋洋 .

中国专利 :CN109581133A ,2019-04-05

[10]

一种反铁电陶瓷及还原气氛下烧结制备反铁电陶瓷的方法 [P].

孙宏辰 ;

王晓智 ;

徐卓 ;

栾鹏 ;

徐然 .

中国专利 :CN116813337B ,2024-07-19

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