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磁控溅射装置及磁控溅射方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311368665.3
申请日
:
2023-10-20
公开(公告)号
:
CN117604466A
公开(公告)日
:
2024-02-27
发明(设计)人
:
孙亚楠
拉海忠
闫晓晖
申请人
:
上海积塔半导体有限公司
申请人地址
:
200123 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云水路600号
IPC主分类号
:
C23C14/35
IPC分类号
:
代理机构
:
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人
:
孙佳胤
法律状态
:
公开
国省代码
:
上海市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-02-27
公开
公开
2024-03-15
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20231020
共 50 条
[1]
磁控溅射装置以及磁控溅射方法
[P].
丁冬
论文数:
0
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丁冬
;
李素华
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李素华
;
王鹏
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王鹏
.
中国专利
:CN109576663A
,2019-04-05
[2]
磁控溅射装置及磁控溅射方法
[P].
王康
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王康
;
邓慧
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邓慧
;
卢胜杰
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卢胜杰
;
张传彪
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张传彪
.
中国专利
:CN114107919A
,2022-03-01
[3]
磁控溅射装置及磁控溅射方法
[P].
苏同上
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苏同上
;
王东方
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王东方
;
袁广才
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袁广才
.
中国专利
:CN105112873A
,2015-12-02
[4]
磁控溅射装置及磁控溅射方法
[P].
陈长平
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陈长平
;
佘鹏程
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佘鹏程
;
胡凡
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胡凡
;
陈庆广
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陈庆广
;
毛朝斌
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毛朝斌
;
张赛
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张赛
.
中国专利
:CN105543792B
,2016-05-04
[5]
磁控溅射装置及磁控溅射方法
[P].
罗延欢
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罗延欢
.
中国专利
:CN110055500A
,2019-07-26
[6]
磁控溅射装置及磁控溅射方法
[P].
岩崎真明
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岩崎真明
;
小田喜文
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小田喜文
;
佐藤武大
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佐藤武大
.
中国专利
:CN102016109B
,2011-04-13
[7]
磁控溅射装置及磁控溅射方法
[P].
童哲源
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机构:
华为技术有限公司
华为技术有限公司
童哲源
;
宋伟基
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机构:
华为技术有限公司
华为技术有限公司
宋伟基
;
许俊豪
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机构:
华为技术有限公司
华为技术有限公司
许俊豪
.
中国专利
:CN118726923A
,2024-10-01
[8]
磁控溅射装置及磁控溅射方法
[P].
王威
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王威
;
邓思
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邓思
;
李娟
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李娟
.
中国专利
:CN105568240B
,2016-05-11
[9]
磁控溅射组件、磁控溅射设备及磁控溅射方法
[P].
罗建恒
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罗建恒
;
杨帆
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杨帆
;
耿宏伟
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耿宏伟
;
李庆明
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李庆明
.
中国专利
:CN113699495A
,2021-11-26
[10]
磁控溅射装置、设备及磁控溅射方法
[P].
杜建华
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杜建华
;
王鑫
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王鑫
.
中国专利
:CN106929813B
,2017-07-07
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