一种高纯多孔硅制备的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210479333.1

申请日：

2022-05-05

公开(公告)号：

CN114988413B

公开(公告)日：

2024-03-15

发明(设计)人：

席风硕赵丽萍马文会李绍元金小涵李祖宇项东飞

申请人：

昆明理工大学

申请人地址：

650093 云南省昆明市五华区学府路253号

IPC主分类号：

C01B33/037

IPC分类号：

代理机构：

天津煜博知识产权代理事务所(普通合伙) 12246

代理人：

朱维

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

云南省昆明市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-08	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):C01B 33/037变更事项:发明人变更前:赵丽萍席风硕李绍元马文会金小涵李祖宇项东飞变更后:席风硕赵丽萍马文会李绍元金小涵李祖宇项东飞
2024-03-15	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高纯多孔硅制备的方法 [P].

赵丽萍 ;

席风硕 ;

李绍元 ;

马文会 ;

金小涵 ;

李祖宇 ;

项东飞 .

中国专利 :CN114988413A ,2022-09-02

[2]

一种利用硅粉制备拉单晶用高纯硅的方法 [P].

李祖宇 ;

席风硕 ;

马文会 ;

李绍元 ;

赵丽萍 ;

牛研捷 ;

魏奎先 ;

伍继君 ;

陈正杰 .

中国专利 :CN118087020A ,2024-05-28

[3]

一种高纯多孔硅的制备方法 [P].

冯金奎 ;

安永灵 .

中国专利 :CN108640118A ,2018-10-12

[4]

一种低硼、磷高纯工业硅的制备方法 [P].

李绍元 ;

席风硕 ;

马文会 ;

万小涵 ;

颜恒维 ;

雷云 ;

陈正杰 ;

魏奎先 ;

伍继君 ;

谢克强 ;

杨斌 ;

戴永年 .

中国专利 :CN108622903A ,2018-10-09

[5]

一种低硼型高纯工业硅的制备方法 [P].

马文会 ;

席风硕 ;

李绍元 ;

陈正杰 ;

魏奎先 ;

谢克强 ;

伍继君 ;

雷云 ;

于洁 ;

万小涵 ;

杨斌 ;

戴永年 .

中国专利 :CN108439412A ,2018-08-24

[6]

一种光伏废硅制备多孔高纯硅材料的方法 [P].

高标 ;

汪泽 ;

付继江 ;

霍开富 ;

周易 ;

林博潭 .

中国专利 :CN119160898A ,2024-12-20

[7]

一种三维多孔硅粉的制备方法 [P].

马文会 ;

李绍元 ;

周阳 ;

魏奎先 ;

于洁 ;

杨斌 ;

戴永年 .

中国专利 :CN104466117A ,2015-03-25

[8]

一种利用硅切割废料制备高纯硅的方法 [P].

雷云 ;

李展超 ;

马文会 ;

羡培帅 .

中国专利 :CN112456499B ,2021-03-09

[9]

一种高纯硅的制备方法 [P].

马文会 ;

戴永年 ;

杨斌 ;

刘大春 ;

吕东 ;

魏奎先 ;

梅向阳 ;

伍继君 ;

汪镜福 ;

徐宝强 ;

郁青春 ;

秦博 .

中国专利 :CN101372334A ,2009-02-25

[10]

一种高纯硅的制备方法 [P].

魏创林 ;

魏伟 ;

王凯 ;

魏佳新 ;

魏波 ;

李健仁 ;

寇娟 .

中国专利 :CN117800343A ,2024-04-02

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