一种光伏废硅制备多孔高纯硅材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411365977.3

申请日：

2024-09-29

公开(公告)号：

CN119160898A

公开(公告)日：

2024-12-20

发明(设计)人：

高标汪泽付继江霍开富周易林博潭

申请人：

武汉科技大学

申请人地址：

430081 湖北省武汉市青山区和平大道947号武汉科技大学钢铁楼805室

IPC主分类号：

C01B33/039

IPC分类号：

代理机构：

北京君有知识产权代理事务所(普通合伙) 11630

代理人：

焦丽雅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 33/039申请日:20240929
2024-12-20	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高纯多孔硅制备的方法 [P].

赵丽萍 ;

席风硕 ;

李绍元 ;

马文会 ;

金小涵 ;

李祖宇 ;

项东飞 .

中国专利 :CN114988413A ,2022-09-02

[2]

一种高纯多孔硅制备的方法 [P].

席风硕 ;

赵丽萍 ;

马文会 ;

李绍元 ;

金小涵 ;

李祖宇 ;

项东飞 .

中国专利 :CN114988413B ,2024-03-15

[3]

一种硼掺杂多孔硅材料的制备方法、多孔硅材料和应用 [P].

韩峰 .

中国专利 :CN119315022A ,2025-01-14

[4]

一种硼掺杂多孔硅材料的制备方法、多孔硅材料和应用 [P].

韩峰 .

中国专利 :CN119315022B ,2025-04-01

[5]

一种提纯硅废料制备高纯硅的方法 [P].

马文会 ;

戴永年 ;

杨斌 ;

刘大春 ;

梅向阳 ;

魏奎先 ;

唐绍雨 ;

郭宽新 ;

于站良 ;

徐宝强 ;

伍继君 ;

汪镜福 ;

郁青春 ;

姚耀春 .

中国专利 :CN101293653A ,2008-10-29

[6]

一种多孔硅材料的制备方法、制备的多孔硅材料及其用途 [P].

苏发兵 ;

张在磊 ;

王艳红 ;

翟世辉 .

中国专利 :CN103663458B ,2014-03-26

[7]

一种高纯多孔硅的制备方法 [P].

冯金奎 ;

安永灵 .

中国专利 :CN108640118A ,2018-10-12

[8]

一种外包覆多孔硅材料、制备方法及其应用 [P].

霍开富 ;

项奔 ;

高标 ;

佘永年 ;

付继江 .

中国专利 :CN114094087B ,2024-03-05

[9]

一种外包覆多孔硅材料、制备方法及其应用 [P].

霍开富 ;

项奔 ;

高标 ;

佘永年 ;

付继江 .

中国专利 :CN114094087A ,2022-02-25

[10]

发光多孔硅材料的制备方法 [P].

侯晓远 ;

柳毅 ;

熊祖洪 ;

徐少辉 ;

柳玥 ;

刘小兵 ;

丁训民 .

中国专利 :CN1436878A ,2003-08-20

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