一种外包覆多孔硅材料、制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111411164.X

申请日：

2021-11-25

公开(公告)号：

CN114094087B

公开(公告)日：

2024-03-05

发明(设计)人：

霍开富项奔高标佘永年付继江

申请人：

武汉科技大学

申请人地址：

430081 湖北省武汉市青山区和平大道947号武汉科技大学钢铁楼805室

IPC主分类号：

H01M4/36

IPC分类号：

H01M4/38 H01M4/583 H01M10/0525

代理机构：

北京君有知识产权代理事务所(普通合伙) 11630

代理人：

焦丽雅

法律状态：

授权

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种外包覆多孔硅材料、制备方法及其应用 [P].

霍开富 ;

项奔 ;

高标 ;

佘永年 ;

付继江 .

中国专利 :CN114094087A ,2022-02-25

[2]

一种双层包覆多孔硅材料、制备方法及其应用 [P].

高标 ;

李涛 ;

霍开富 ;

张徽 ;

汪泽 ;

徐一帆 ;

林博潭 ;

陈润信 .

中国专利 :CN121192144A ,2025-12-23

[3]

一种氮化镓碳层包覆多孔硅负极材料、制备方法及其应用 [P].

高标 ;

徐一帆 ;

霍开富 ;

张徽 ;

郭鑫博 ;

周易 .

中国专利 :CN119252901A ,2025-01-03

[4]

一种高容量的多孔硅材料及其制备方法和应用 [P].

杜宁 ;

张亚光 ;

张辉 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN105845918A ,2016-08-10

[5]

一种具有MgSiN<sub>2</sub>纳米涂层的多孔硅材料、制备方法及其应用 [P].

高标 ;

佘永年 ;

霍开富 ;

项奔 ;

梅士雄 .

中国专利 :CN117247017B ,2025-11-21

[6]

一种硼掺杂多孔硅材料的制备方法、多孔硅材料和应用 [P].

韩峰 .

中国专利 :CN119315022A ,2025-01-14

[7]

一种硼掺杂多孔硅材料的制备方法、多孔硅材料和应用 [P].

韩峰 .

中国专利 :CN119315022B ,2025-04-01

[8]

一种钇掺杂类多孔硅材料的制备方法及其应用 [P].

高标 ;

刘璇 ;

霍开富 ;

郭鑫博 ;

刘瑜 ;

韩欣瑜 .

中国专利 :CN120398064A ,2025-08-01

[9]

一种碳包覆的多孔硅负极材料的制备方法 [P].

张飞豹 ;

张大伟 ;

吕素芳 ;

蒋剑雄 .

中国专利 :CN111403694A ,2020-07-10

[10]

多孔硅材料及其制备方法和应用、碳硅复合材料及其制备方法和应用 [P].

陈云贵 ;

刘建波 ;

黄利武 ;

刘慰 ;

罗壹腾 .

中国专利 :CN115367760A ,2022-11-22

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