一种具有MgSiN<sub>2</sub>纳米涂层的多孔硅材料、制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310538492.9

申请日：

2023-05-15

公开(公告)号：

CN117247017B

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

高标佘永年霍开富项奔梅士雄

申请人：

武汉科技大学

申请人地址：

430081 湖北省武汉市和平大道947号武汉科技大学钢铁楼805室

IPC主分类号：

C01B33/02

IPC分类号：

C01B21/00 H01M4/62 H01M4/38 H01M10/0525

代理机构：

北京君有知识产权代理事务所(普通合伙) 11630

代理人：

焦丽雅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 33/02申请日:20230515
2025-11-21	授权	授权

共 50 条

[1]

一种外包覆多孔硅材料、制备方法及其应用 [P].

霍开富 ;

项奔 ;

高标 ;

佘永年 ;

付继江 .

中国专利 :CN114094087B ,2024-03-05

[2]

一种外包覆多孔硅材料、制备方法及其应用 [P].

霍开富 ;

项奔 ;

高标 ;

佘永年 ;

付继江 .

中国专利 :CN114094087A ,2022-02-25

[3]

一种微纳米双粒度多孔硅材料及其制备方法和应用 [P].

张亚光 ;

温姜霞 ;

王振 .

中国专利 :CN112038617A ,2020-12-04

[4]

一种双层包覆多孔硅材料、制备方法及其应用 [P].

高标 ;

李涛 ;

霍开富 ;

张徽 ;

汪泽 ;

徐一帆 ;

林博潭 ;

陈润信 .

中国专利 :CN121192144A ,2025-12-23

[5]

一种高容量的多孔硅材料及其制备方法和应用 [P].

杜宁 ;

张亚光 ;

张辉 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN105845918A ,2016-08-10

[6]

一种硼掺杂多孔硅材料的制备方法、多孔硅材料和应用 [P].

韩峰 .

中国专利 :CN119315022A ,2025-01-14

[7]

一种硼掺杂多孔硅材料的制备方法、多孔硅材料和应用 [P].

韩峰 .

中国专利 :CN119315022B ,2025-04-01

[8]

一种多孔Si/SiO<sub>x</sub>复合材料的制备及应用 [P].

柳文军 ;

张文学 ;

刘元戎 ;

张浩 .

中国专利 :CN113793929B ,2024-03-01

[9]

一种钇掺杂类多孔硅材料的制备方法及其应用 [P].

高标 ;

刘璇 ;

霍开富 ;

郭鑫博 ;

刘瑜 ;

韩欣瑜 .

中国专利 :CN120398064A ,2025-08-01

[10]

MoSe<sub>2</sub>@Mo<sub>2</sub>C杂化材料、其制备方法及其应用 [P].

宋礼 ;

曹宇杨 ;

魏世强 ;

陈双明 .

中国专利 :CN118800897A ,2024-10-18

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