一种双层包覆多孔硅材料、制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511381177.5

申请日：

2025-09-25

公开(公告)号：

CN121192144A

公开(公告)日：

2025-12-23

发明(设计)人：

高标李涛霍开富张徽汪泽徐一帆林博潭陈润信

申请人：

武汉科技大学

申请人地址：

430081 湖北省武汉市青山区和平大道947号武汉科技大学钢铁楼906室

IPC主分类号：

H01M4/36

IPC分类号：

C01B33/02 C01B21/082 C01B32/15 H01M4/38 H01M4/62 H01M10/0525

代理机构：

北京君有知识产权代理事务所(普通合伙) 11630

代理人：

孙芳

法律状态：

公开

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种外包覆多孔硅材料、制备方法及其应用 [P].

霍开富 ;

项奔 ;

高标 ;

佘永年 ;

付继江 .

中国专利 :CN114094087B ,2024-03-05

[2]

一种外包覆多孔硅材料、制备方法及其应用 [P].

霍开富 ;

项奔 ;

高标 ;

佘永年 ;

付继江 .

中国专利 :CN114094087A ,2022-02-25

[3]

一种氮化镓碳层包覆多孔硅负极材料、制备方法及其应用 [P].

高标 ;

徐一帆 ;

霍开富 ;

张徽 ;

郭鑫博 ;

周易 .

中国专利 :CN119252901A ,2025-01-03

[4]

一种硼掺杂多孔硅材料的制备方法、多孔硅材料和应用 [P].

韩峰 .

中国专利 :CN119315022A ,2025-01-14

[5]

一种硼掺杂多孔硅材料的制备方法、多孔硅材料和应用 [P].

韩峰 .

中国专利 :CN119315022B ,2025-04-01

[6]

一种碳包覆的多孔硅负极材料的制备方法 [P].

张飞豹 ;

张大伟 ;

吕素芳 ;

蒋剑雄 .

中国专利 :CN111403694A ,2020-07-10

[7]

一种钇掺杂类多孔硅材料的制备方法及其应用 [P].

高标 ;

刘璇 ;

霍开富 ;

郭鑫博 ;

刘瑜 ;

韩欣瑜 .

中国专利 :CN120398064A ,2025-08-01

[8]

一种盐辅助内外双层碳包覆硅材料、制备方法及其应用 [P].

高标 ;

周易 ;

霍开富 ;

张徽 ;

田佳贝 ;

陈梦飞 .

中国专利 :CN119191269A ,2024-12-27

[9]

多孔硅材料、其制备方法与应用 [P].

田华军 ;

何伟 ;

韩伟强 .

中国专利 :CN105047892A ,2015-11-11

[10]

一种双层碳包覆硅材料、制备方法及其应用 [P].

高标 ;

周易 ;

霍开富 ;

张徽 ;

郭思广 ;

罗实 .

中国专利 :CN118619279A ,2024-09-10

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