一种碳包覆的多孔硅负极材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910781498.2

申请日：

2019-08-22

公开(公告)号：

CN111403694A

公开(公告)日：

2020-07-10

发明(设计)人：

张飞豹张大伟吕素芳蒋剑雄

申请人：

申请人地址：

310015 浙江省杭州市余杭区余杭塘路2318号

IPC主分类号：

H01M436

IPC分类号：

H01M438 H01M462 H01M100525

代理机构：

杭州杭诚专利事务所有限公司 33109

代理人：

王江成

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-15	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01M 4/36 申请公布日:20200710
2020-07-10	公开	公开
2020-08-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/36 申请日:20190822

共 50 条

[1]

一种氮化镓碳层包覆多孔硅负极材料、制备方法及其应用 [P].

高标 ;

徐一帆 ;

霍开富 ;

张徽 ;

郭鑫博 ;

周易 .

中国专利 :CN119252901A ,2025-01-03

[2]

一种低温碳包覆多孔硅复合负极材料及其制备方法 [P].

赵东辉 ;

周鹏伟 ;

白宇 ;

李二威 .

中国专利 :CN111653735A ,2020-09-11

[3]

一种石墨提纯与多孔硅碳制备同步的构筑石墨多孔硅碳复合负极材料的方法 [P].

薛永 ;

赵红 ;

王琦 .

中国专利 :CN112072115A ,2020-12-11

[4]

导电聚合物聚苯胺包覆多孔硅基负极材料的制备方法及其产品和应用 [P].

崔大祥 ;

张道明 ;

张芳 ;

王亚坤 ;

阳靖峰 ;

卢玉英 ;

焦靖华 ;

葛美英 .

中国专利 :CN111211316A ,2020-05-29

[5]

一种双层碳包覆的硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

闫品宏 ;

曾劲轲 ;

唐文 ;

杨敏 ;

柯鑫 ;

刘昭 .

中国专利 :CN121192138A ,2025-12-23

[6]

碳包覆多孔硅碳复合材料及其制备方法 [P].

顾灵锋 ;

杨丽娜 ;

舒显全 .

中国专利 :CN111211314A ,2020-05-29

[7]

一种复合碳包覆的多孔硅负极材料及其制备方法 [P].

慈立杰 ;

翟伟 .

中国专利 :CN106935834A ,2017-07-07

[8]

一种硅碳负极材料的制备工艺 [P].

王金山 .

中国专利 :CN109659529A ,2019-04-19

[9]

一种双层碳包覆多孔硅锂离子电池负极材料的制备方法 [P].

姜婷婷 ;

李婧杰 ;

周盈科 ;

李睿智 ;

田小慧 .

中国专利 :CN120646837A ,2025-09-16

[10]

一种多孔硅碳复合负极材料的制备方法 [P].

梁坤 ;

汪浩立 ;

杨紫依 ;

余陶 .

中国专利 :CN119080004A ,2024-12-06

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