薄膜晶体管及其制备方法、存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211665837.9

申请日：

2022-12-23

公开(公告)号：

CN117423752A

公开(公告)日：

2024-01-19

发明(设计)人：

李永杰赵超王桂磊李玉科尹晓明孟敬恒

申请人：

北京超弦存储器研究院

申请人地址：

102600 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街52幢5层501-12

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L21/336 H10B12/00

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

姚姝娅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/786申请日:20221223
2024-01-19	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜晶体管及其制备方法 [P].

王嘉义 ;

王盛凯 .

中国专利 :CN118315435A ,2024-07-09

[2]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

林武雄 ;

孙铭伟 .

中国专利 :CN102064109B ,2011-05-18

[3]

薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法 [P].

梅雪茹 ;

刘念 .

中国专利 :CN111081753A ,2020-04-28

[4]

薄膜晶体管存储器件 [P].

P·梅 ;

小J·R·伊顿 .

中国专利 :CN1407615A ,2003-04-02

[5]

用于半导体存储器件的薄膜晶体管及其制造方法 [P].

金长来 ;

金汉洙 .

中国专利 :CN1073806A ,1993-06-30

[6]

肖特基薄膜晶体管及其制备方法 [P].

张新安 ;

徐浩璇 .

中国专利 :CN118053914A ,2024-05-17

[7]

薄膜晶体管及其制备方法 [P].

张新安 ;

蒋俊华 ;

敖天勇 ;

张朋林 ;

张伟风 .

中国专利 :CN106298961B ,2017-01-04

[8]

薄膜晶体管及其制备方法和显示器件 [P].

胡诗犇 ;

龚政 ;

庞超 ;

龚岩芬 ;

王建太 ;

郭婵 ;

潘章旭 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN112635572A ,2021-04-09

[9]

掺杂离子的薄膜晶体管及其制备方法 [P].

曹一心 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

刘伊娜 ;

杨莉 .

中国专利 :CN113517351A ,2021-10-19

[10]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

张锡明 .

中国专利 :CN102184866A ,2011-09-14

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