用于半导体存储器件的薄膜晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN92105269.3

申请日：

1992-06-30

公开(公告)号：

CN1073806A

公开(公告)日：

1993-06-30

发明(设计)人：

金长来金汉洙

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L29784

IPC分类号：

H01L2711 H01L21336 G11C1140

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利代理部

代理人：

乔晓东

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1995-02-22	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2002-06-12	其他有关事项	其他有关事项
1993-06-30	公开	公开
1996-07-10	授权	授权
2012-09-05	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101322515509 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL921052693 申请日:19920630 授权公告日:19960710 期满终止日期:20120630

共 50 条

[1]

薄膜晶体管及其制备方法、存储器件 [P].

李永杰 ;

赵超 ;

王桂磊 ;

李玉科 ;

尹晓明 ;

孟敬恒 .

中国专利 :CN117423752A ,2024-01-19

[2]

薄膜晶体管及半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

三津木亨 ;

笠原健司 ;

浅见勇臣 ;

高野圭惠 ;

志知武司 ;

小久保千穗 ;

荒井康行 .

中国专利 :CN1346152A ,2002-04-24

[3]

半导体薄膜、薄膜晶体管及其制造方法 [P].

西村麻美 ;

川岛绘美 ;

笠见雅司 ;

松浦正英 ;

糸濑将之 .

中国专利 :CN103155154A ,2013-06-12

[4]

晶体管及半导体存储器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN207009441U ,2018-02-13

[5]

薄膜晶体管、半导体器件及其制造方法 [P].

荒尾达也 ;

三宅博之 .

中国专利 :CN100511712C ,2005-09-14

[6]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

大田裕之 .

中国专利 :CN111788663A ,2020-10-16

[7]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

金正晥 ;

朴正根 ;

张宰赫 .

中国专利 :CN102456743B ,2012-05-16

[8]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

大田裕之 ;

井上智博 .

日本专利 :CN112740420B ,2025-03-11

[9]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

宫入秀和 ;

大力浩二 ;

惠木勇司 ;

神保安弘 ;

伊佐敏行 .

中国专利 :CN102007586A ,2011-04-06

[10]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

郑在景 ;

申铉秀 ;

权世烈 ;

牟然坤 .

中国专利 :CN1967876A ,2007-05-23

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