一种N-TOPCon电池的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311267884.2

申请日：

2023-09-27

公开(公告)号：

CN117199186B

公开(公告)日：

2024-06-04

发明(设计)人：

张明明潘利民毛卫平钱忠刚刘建华方涛王金凤

申请人：

淮安捷泰新能源科技有限公司

申请人地址：

223400 江苏省淮安市涟水县经济开发区迎宾大道8号

IPC主分类号：

H01L31/18

IPC分类号：

H01L31/0216 H01L31/068 H01L31/0224

代理机构：

北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315

代理人：

赵红

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种N-TOPCon电池及其制作方法 [P].

范洵 ;

付少剑 ;

郁寅珑 ;

张明明 ;

何帅 .

中国专利 :CN115148832A ,2022-10-04

[2]

N-TOPCon电池及其制作工艺 [P].

郑波 ;

柯益萍 ;

王闻捷 .

中国专利 :CN114335249A ,2022-04-12

[3]

一种N型TOPCON电池及其制作方法 [P].

张明明 ;

付少剑 ;

郁寅珑 ;

郭世成 ;

范洵 ;

许明艳 ;

蒋红洁 .

中国专利 :CN115642196A ,2023-01-24

[4]

钝化层制作方法、TOPCon电池及其制作方法 [P].

张满满 ;

乐雄英 ;

陆祥 ;

光显军 ;

甘鸿雨 ;

杨阳 ;

岳成武 ;

李军勇 ;

陶龙忠 .

中国专利 :CN120568898A ,2025-08-29

[5]

一种N-TOPCon电池及其烧结方法 [P].

孙亚楠 ;

刘勇 ;

朴松源 .

中国专利 :CN114639754B ,2024-03-15

[6]

一种n-TOPCon电池去绕镀实现方法 [P].

杨昊 ;

付洪涛 ;

侯永涛 .

中国专利 :CN117954524A ,2024-04-30

[7]

一种N-TOPCon电池及其烧结方法 [P].

孙亚楠 ;

刘勇 ;

朴松源 .

中国专利 :CN114639754A ,2022-06-17

[8]

一种N-TOPCON电池的制备方法及电池结构 [P].

张明明 ;

鲁伟明 ;

郭世成 ;

方涛 ;

营松 ;

顾艳杰 .

中国专利 :CN120417535A ,2025-08-01

[9]

一种新型TOPCON电池及其制作方法 [P].

马玉超 ;

叶巨洋 ;

方灵新 .

中国专利 :CN115692516A ,2023-02-03

[10]

N-TOPCon正面银铝浆料及其制备方法和N-TOPCon电池 [P].

舒华富 ;

刘勇 ;

朴松源 ;

王建明 .

中国专利 :CN115705933A ,2023-02-17

← 1 2 3 4 5 →