N-TOPCon电池及其制作工艺

被引:0
申请号
CN202111659378.9
申请日
2021-12-31
公开(公告)号
CN114335249A
公开(公告)日
2022-04-12
发明(设计)人
郑波 柯益萍 王闻捷
申请人
申请人地址
315600 浙江省宁波市宁海县梅林街道塔山工业园区
IPC主分类号
H01L3118
IPC分类号
H01L310236 H01L3106 H01L21223
代理机构
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463
代理人
王丽莎
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种N-TOPCon电池及其制作方法 [P]. 
范洵 ;
付少剑 ;
郁寅珑 ;
张明明 ;
何帅 .
中国专利 :CN115148832A ,2022-10-04
[2]
N-TOPCon正面银铝浆料及其制备方法和N-TOPCon电池 [P]. 
舒华富 ;
刘勇 ;
朴松源 ;
王建明 .
中国专利 :CN115705933A ,2023-02-17
[3]
一种背面poly减薄的n-TOPCon电池的制备方法 [P]. 
黄辉巍 ;
杜庆晖 ;
刘斌 .
中国专利 :CN119153583B ,2025-03-18
[4]
一种背面poly减薄的n-TOPCon电池的制备方法 [P]. 
黄辉巍 ;
杜庆晖 ;
刘斌 .
中国专利 :CN119153583A ,2024-12-17
[5]
电池背面选择性发射极的制作工艺及Topcon电池的制备方法 [P]. 
郭礼艳 ;
陈景绍 ;
毛静雯 ;
吴海波 ;
沈晨 ;
林建伟 .
中国专利 :CN118507584A ,2024-08-16
[6]
一种TOPCon电池及其制备工艺 [P]. 
赵杰 ;
孟俊杰 ;
牛家慧 ;
陈实 ;
丰平 ;
刘飞 ;
陈兆民 ;
张星 ;
刘志谦 ;
杨辉 .
中国专利 :CN118448478B ,2024-10-15
[7]
一种TOPCon电池及其制备工艺 [P]. 
赵杰 ;
孟俊杰 ;
牛家慧 ;
陈实 ;
丰平 ;
刘飞 ;
陈兆民 ;
张星 ;
刘志谦 ;
杨辉 .
中国专利 :CN118448478A ,2024-08-06
[8]
一种N-TOPCON电池的制备方法及电池结构 [P]. 
张明明 ;
鲁伟明 ;
郭世成 ;
方涛 ;
营松 ;
顾艳杰 .
中国专利 :CN120417535A ,2025-08-01
[9]
一种N-TOPCon电池及其烧结方法 [P]. 
孙亚楠 ;
刘勇 ;
朴松源 .
中国专利 :CN114639754B ,2024-03-15
[10]
一种N-TOPCon电池的制作方法 [P]. 
张明明 ;
潘利民 ;
毛卫平 ;
钱忠刚 ;
刘建华 ;
方涛 ;
王金凤 .
中国专利 :CN117199186B ,2024-06-04