电池背面选择性发射极的制作工艺及Topcon电池的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410344924.7

申请日：

2024-03-25

公开(公告)号：

CN118507584A

公开(公告)日：

2024-08-16

发明(设计)人：

郭礼艳陈景绍毛静雯吴海波沈晨林建伟

申请人：

泰州中来光电科技有限公司

申请人地址：

225500 江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路6号

IPC主分类号：

H01L31/18

IPC分类号：

H01L31/0224 H01L31/0216

代理机构：

北京金之桥知识产权代理有限公司 11137

代理人：

文智霞;张明

法律状态：

公开

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-16	公开	公开
2024-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/18申请日:20240325

共 50 条

[1]

选择性发射极的制备方法、电池的制备方法以及电池 [P].

庄宇峰 ;

袁声召 ;

崔艳峰 ;

万义茂 .

中国专利 :CN112510117A ,2021-03-16

[2]

一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法 [P].

孙玉峰 ;

瞿辉 ;

曹玉甲 .

中国专利 :CN113140655A ,2021-07-20

[3]

一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法 [P].

孙玉峰 ;

瞿辉 ;

曹玉甲 .

中国专利 :CN113140655B ,2024-05-24

[4]

选择性发射极的制备方法、选择性发射极电池及制备工艺 [P].

张光振 .

中国专利 :CN119170694A ,2024-12-20

[5]

选择性发射极的制备方法、选择性发射极电池及制备工艺 [P].

张光振 .

中国专利 :CN119170694B ,2025-11-14

[6]

选择性发射极结构、制备方法及选择性发射极晶硅电池 [P].

刘伟 ;

叶继春 ;

曾俞衡 ;

肖明晶 ;

廖明墩 ;

闫宝杰 .

中国专利 :CN115377226A ,2022-11-22

[7]

选择性发射极电池的制备方法 [P].

胡海波 ;

杨伟光 ;

贾财良 ;

翁浩 .

中国专利 :CN102881770A ,2013-01-16

[8]

一种选择性发射极电池制备方法及选择性发射极电池 [P].

邹超 ;

丁红辉 ;

李燕平 ;

陆振宇 ;

刘古岩 ;

薛峰 ;

孔海洋 ;

张剑峰 .

中国专利 :CN116314451B ,2025-07-29

[9]

具有选择性发射极的N型太阳能电池的制备方法及电池 [P].

朱晶晶 ;

袁晓佳 ;

费存勇 ;

赵福祥 .

中国专利 :CN115036391A ,2022-09-09

[10]

一种具有选择性发射极的太阳能电池的制备方法 [P].

陈嘉 ;

马丽敏 ;

包杰 ;

陈程 ;

刘志锋 ;

林建伟 .

中国专利 :CN111370539A ,2020-07-03

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