选择性发射极的制备方法、选择性发射极电池及制备工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411171292.5

申请日：

2024-08-23

公开(公告)号：

CN119170694A

公开(公告)日：

2024-12-20

发明(设计)人：

张光振

申请人：

淮安捷泰新能源科技有限公司

申请人地址：

223400 江苏省淮安市涟水县经济开发区迎宾大道8号

IPC主分类号：

H01L31/18

IPC分类号：

H01L21/225 H01L21/268 H01L31/0224 H01L31/068

代理机构：

深圳国海智峰知识产权代理事务所(普通合伙) 44489

代理人：

臧芳芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/18申请日:20240823
2024-12-20	公开	公开
2025-11-14	授权	授权

共 50 条

[1]

选择性发射极的制备方法、选择性发射极电池及制备工艺 [P].

张光振 .

中国专利 :CN119170694B ,2025-11-14

[2]

选择性发射极及其制备方法、选择性发射极电池 [P].

张子森 ;

王伟 ;

董建文 ;

吕加先 ;

沈贞东 ;

叶权华 ;

魏文文 ;

盛健 ;

张淳 .

中国专利 :CN110544730A ,2019-12-06

[3]

选择性发射极的制备方法、选择性发射极及应用 [P].

任永伟 ;

赵颖 ;

齐利娜 .

中国专利 :CN118431347A ,2024-08-02

[4]

选择性发射极电池的制备方法 [P].

胡海波 ;

杨伟光 ;

贾财良 ;

翁浩 .

中国专利 :CN102881770A ,2013-01-16

[5]

一种选择性发射极电池制备方法及选择性发射极电池 [P].

邹超 ;

丁红辉 ;

李燕平 ;

陆振宇 ;

刘古岩 ;

薛峰 ;

孔海洋 ;

张剑峰 .

中国专利 :CN116314451B ,2025-07-29

[6]

选择性发射极结构、制备方法及选择性发射极晶硅电池 [P].

刘伟 ;

叶继春 ;

曾俞衡 ;

肖明晶 ;

廖明墩 ;

闫宝杰 .

中国专利 :CN115377226A ,2022-11-22

[7]

硼掺杂选择性发射极及制法、硼掺杂选择性发射极电池 [P].

许佳平 ;

沈梦超 ;

顾振华 ;

曹育红 ;

符黎明 .

中国专利 :CN113035976B ,2021-06-25

[8]

一种选择性发射极的制备方法、选择性发射极电池的制备方法 [P].

黄海龙 ;

赵增超 ;

周子游 ;

刘文峰 .

中国专利 :CN109638109B ,2019-04-16

[9]

选择性发射极刻蚀工艺 [P].

丁晓春 .

中国专利 :CN102709387B ,2012-10-03

[10]

选择性发射极电池结构及其制备方法 [P].

张子森 ;

李慧 ;

王峰 ;

胡健康 ;

陈克 .

中国专利 :CN107742655A ,2018-02-27

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