一种选择性发射极电池制备方法及选择性发射极电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310203855.3

申请日：

2023-03-01

公开(公告)号：

CN116314451B

公开(公告)日：

2025-07-29

发明(设计)人：

邹超丁红辉李燕平陆振宇刘古岩薛峰孔海洋张剑峰

申请人：

正泰新能科技股份有限公司

申请人地址：

314400 浙江省嘉兴市海宁市尖山新区吉盛路1号

IPC主分类号：

H10F71/00

IPC分类号：

H10F77/20 H10F10/14 B41M1/12

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

姚莹丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-29	授权	授权

共 50 条

[1]

选择性发射极及其制备方法、选择性发射极电池 [P].

张子森 ;

王伟 ;

董建文 ;

吕加先 ;

沈贞东 ;

叶权华 ;

魏文文 ;

盛健 ;

张淳 .

中国专利 :CN110544730A ,2019-12-06

[2]

选择性发射极的制备方法、选择性发射极电池及制备工艺 [P].

张光振 .

中国专利 :CN119170694A ,2024-12-20

[3]

选择性发射极的制备方法、选择性发射极电池及制备工艺 [P].

张光振 .

中国专利 :CN119170694B ,2025-11-14

[4]

选择性发射极电池的制备方法 [P].

胡海波 ;

杨伟光 ;

贾财良 ;

翁浩 .

中国专利 :CN102881770A ,2013-01-16

[5]

硼掺杂选择性发射极及制法、硼掺杂选择性发射极电池 [P].

许佳平 ;

沈梦超 ;

顾振华 ;

曹育红 ;

符黎明 .

中国专利 :CN113035976B ,2021-06-25

[6]

选择性发射极结构、制备方法及选择性发射极晶硅电池 [P].

刘伟 ;

叶继春 ;

曾俞衡 ;

肖明晶 ;

廖明墩 ;

闫宝杰 .

中国专利 :CN115377226A ,2022-11-22

[7]

选择性发射极的制备方法、选择性发射极及应用 [P].

任永伟 ;

赵颖 ;

齐利娜 .

中国专利 :CN118431347A ,2024-08-02

[8]

一种选择性发射极的制备方法、选择性发射极电池的制备方法 [P].

黄海龙 ;

赵增超 ;

周子游 ;

刘文峰 .

中国专利 :CN109638109B ,2019-04-16

[9]

一种晶硅电池发射极激光选择性发射极图案 [P].

杨飞飞 ;

赵军龙 ;

张波 ;

张云鹏 ;

杨旭彪 ;

梁玲 ;

常于思 ;

牛旭霞 ;

杜泽霖 ;

李陈阳 .

中国专利 :CN215731745U ,2022-02-01

[10]

选择性发射极电池结构及其制备方法 [P].

张子森 ;

李慧 ;

王峰 ;

胡健康 ;

陈克 .

中国专利 :CN107742655A ,2018-02-27

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