一种背面poly减薄的n-TOPCon电池的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411492810.3
申请日
2024-10-24
公开(公告)号
CN119153583B
公开(公告)日
2025-03-18
发明(设计)人
黄辉巍 杜庆晖 刘斌
申请人
常州正宇光伏科技有限公司
申请人地址
213166 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区武宜南路388号
IPC主分类号
H10F71/00
IPC分类号
H10F10/14
代理机构
北京锦信诚泰知识产权代理有限公司 11813
代理人
刘卉
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种背面poly减薄的n-TOPCon电池的制备方法 [P]. 
黄辉巍 ;
杜庆晖 ;
刘斌 .
中国专利 :CN119153583A ,2024-12-17
[2]
用于薄poly电池片的背面银浆及制备方法、N型TOPCon电池 [P]. 
陈佳鑫 ;
刘山靖 ;
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崔志钢 .
中国专利 :CN119811739A ,2025-04-11
[3]
一种新的TOPCon背面Poly减薄装置以及方法 [P]. 
钱森 ;
吴宇 ;
徐明靖 .
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[4]
一种N-TOPCON电池的制备方法及电池结构 [P]. 
张明明 ;
鲁伟明 ;
郭世成 ;
方涛 ;
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顾艳杰 .
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[5]
一种背面处理法制备N-TOPCon晶硅太阳能电池的方法 [P]. 
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[6]
一种提高N型TOPCon电池烘干效果的方法、N型TOPCon电池及制备方法 [P]. 
刘伟 ;
祁兆溪 ;
陈晨 ;
吝占胜 ;
李翠双 ;
张东升 ;
王静 ;
李倩 ;
刘新玉 ;
李青娟 ;
张红妹 ;
魏双双 ;
李志彬 ;
王志国 .
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[7]
一种N-TOPCon电池及其制作方法 [P]. 
范洵 ;
付少剑 ;
郁寅珑 ;
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[8]
一种监控TOPCON电池背面POLY舟卡点处的方法 [P]. 
安萍 ;
张双玉 ;
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[9]
一种改善TOPCon电池背面钝化接触结构的方法 [P]. 
吴成坤 ;
杨阳 ;
陈如龙 ;
乐雄英 ;
李华正 .
中国专利 :CN117352589A ,2024-01-05
[10]
一种改善TOPCon电池背面钝化接触结构的方法 [P]. 
吴成坤 ;
杨阳 ;
陈如龙 ;
乐雄英 ;
李华正 .
中国专利 :CN117352589B ,2024-03-26