一种新的TOPCon背面Poly减薄装置以及方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410851186.5
申请日
2024-06-28
公开(公告)号
CN118712284A
公开(公告)日
2024-09-27
发明(设计)人
钱森 吴宇 徐明靖
申请人
滁州亿晶光电科技有限公司
申请人地址
239599 安徽省滁州市全椒县十字镇通湖大道1号
IPC主分类号
H01L31/20
IPC分类号
H01L31/0224 H01L21/3213 H01L21/67 B41M1/12 B41M1/26 B41M7/00 B08B1/12 B08B3/08
代理机构
滁州天顺知识产权代理事务所(普通合伙) 34302
代理人
詹俊英
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种背面poly减薄的n-TOPCon电池的制备方法 [P]. 
黄辉巍 ;
杜庆晖 ;
刘斌 .
中国专利 :CN119153583A ,2024-12-17
[2]
一种背面poly减薄的n-TOPCon电池的制备方法 [P]. 
黄辉巍 ;
杜庆晖 ;
刘斌 .
中国专利 :CN119153583B ,2025-03-18
[3]
用于薄poly电池片的背面银浆及制备方法、N型TOPCon电池 [P]. 
陈佳鑫 ;
刘山靖 ;
成雨莲 ;
崔志钢 .
中国专利 :CN119811739A ,2025-04-11
[4]
一种监控TOPCON电池背面POLY舟卡点处的方法 [P]. 
安萍 ;
张双玉 ;
李蕊怡 ;
张楠楠 ;
杨阳 ;
陈如龙 .
中国专利 :CN117352412A ,2024-01-05
[5]
一种改善TOPCon电池背面钝化接触结构的方法 [P]. 
吴成坤 ;
杨阳 ;
陈如龙 ;
乐雄英 ;
李华正 .
中国专利 :CN117352589A ,2024-01-05
[6]
一种改善TOPCon电池背面钝化接触结构的方法 [P]. 
吴成坤 ;
杨阳 ;
陈如龙 ;
乐雄英 ;
李华正 .
中国专利 :CN117352589B ,2024-03-26
[7]
一种新的减薄工艺 [P]. 
王红亚 .
中国专利 :CN103811329A ,2014-05-21
[8]
一种TOPCon电池背面钝化层的制备方法 [P]. 
穆晓超 ;
崔宁 ;
张伟 ;
王菲 ;
武啟强 ;
郝鹏飞 ;
杨海翠 ;
颉林娜 ;
张洁 .
中国专利 :CN120379386A ,2025-07-25
[9]
一种硅片背面减薄砂轮及其制备方法 [P]. 
郑师光 .
中国专利 :CN118322111A ,2024-07-12
[10]
一种TOPCon背面有机载体 [P]. 
贺铭杰 ;
郑超男 ;
韩宇 ;
阎立 .
中国专利 :CN117844308B ,2024-08-06