一种TOPCon电池背面钝化层的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510866591.9

申请日：

2025-06-26

公开(公告)号：

CN120379386A

公开(公告)日：

2025-07-25

发明(设计)人：

穆晓超崔宁张伟王菲武啟强郝鹏飞杨海翠颉林娜张洁

申请人：

晋能光伏技术有限责任公司

申请人地址：

030600 山西省晋中市榆次区广安东街533号

IPC主分类号：

H10F71/00

IPC分类号：

H10F77/30 C23C16/52 C23C16/24 C23C16/40 C23C16/505

代理机构：

北京中济纬天专利代理有限公司 11429

代理人：

李顺

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

山西省阳泉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 71/00申请日:20250626
2025-07-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种TOPCon电池的钝化层的制备方法及其钝化层 [P].

杨海翠 ;

穆晓超 ;

张伟 ;

崔宁 ;

武啟强 ;

陈帅朋 ;

颉林娜 ;

张洁 .

中国专利 :CN119092596A ,2024-12-06

[2]

一种TOPCon电池的poly叠层双钝化结构制备工艺及TOPCon电池 [P].

孟俊杰 ;

孙鹏 ;

刘飞 ;

赵刚 ;

张宇航 ;

丰平 ;

辛国军 ;

陈实 ;

王佃阁 .

中国专利 :CN119562643A ,2025-03-04

[3]

一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法及TOPCon电池 [P].

杜文轩 ;

伏进文 ;

何秋霞 .

中国专利 :CN118610311B ,2025-01-28

[4]

一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法及TOPCon电池 [P].

杜文轩 ;

伏进文 ;

何秋霞 .

中国专利 :CN118610311A ,2024-09-06

[5]

一种降低背面寄生吸收的TOPCon电池片的制备方法 [P].

伏进文 ;

杜文轩 ;

季勇健 ;

何秋霞 .

中国专利 :CN118367061B ,2025-06-13

[6]

一种降低背面寄生吸收的TOPCon电池片的制备方法 [P].

伏进文 ;

杜文轩 ;

季勇健 ;

何秋霞 .

中国专利 :CN118367061A ,2024-07-19

[7]

TOPCon电池及其背面复合结构和制备方法 [P].

何秋霞 ;

伏进文 ;

曹琨 ;

杜文轩 .

中国专利 :CN120826074A ,2025-10-21

[8]

一种钝化复合功能层和TOPCon电池 [P].

刘志锋 ;

余竹云 ;

纪桂平 ;

朱玉娟 ;

李钡 ;

朱骏 .

中国专利 :CN220829963U ,2024-04-23

[9]

Topcon电池隧穿氧化层的制备方法、Topcon电池 [P].

叶文兰 ;

明伟辉 ;

王丹萍 ;

邢智聪 .

中国专利 :CN120835629A ,2025-10-24

[10]

一种改善TOPCon电池背面钝化接触的方法 [P].

谢申衡 ;

吴群峰 ;

冯晓军 ;

李祥 ;

唐政 ;

黄调调 .

中国专利 :CN119208451A ,2024-12-27

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