Topcon电池隧穿氧化层的制备方法、Topcon电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410963415.2

申请日：

2024-07-18

公开(公告)号：

CN120835629A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

叶文兰明伟辉王丹萍邢智聪

申请人：

环晟光伏（江苏）有限公司

申请人地址：

214200 江苏省无锡市宜兴市宜兴经济技术开发区文庄路20号

IPC主分类号：

H10F71/00

IPC分类号：

H10F77/30 H10F10/14

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

张金铭

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省宣城市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开
2025-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 71/00申请日:20240718

共 50 条

[1]

TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池 [P].

王丹萍 ;

明伟辉 ;

朱江浩 .

中国专利 :CN120882138A ,2025-10-31

[2]

TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池 [P].

叶文兰 ;

郑立 ;

邢智聪 ;

朱江浩 .

中国专利 :CN120826054A ,2025-10-21

[3]

TOPCON电池分步式双面隧穿poly层的制备方法及TOPCON电池 [P].

叶文兰 ;

马擎天 ;

明伟辉 ;

戎涛 .

中国专利 :CN118315486A ,2024-07-09

[4]

一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法及TOPCon电池 [P].

杜文轩 ;

伏进文 ;

何秋霞 .

中国专利 :CN118610311B ,2025-01-28

[5]

一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法及TOPCon电池 [P].

杜文轩 ;

伏进文 ;

何秋霞 .

中国专利 :CN118610311A ,2024-09-06

[6]

隧穿氧化层及TopCon电池的制备方法 [P].

张旭冉 ;

陈庆敏 ;

卓倩武 .

中国专利 :CN118231527B ,2024-10-29

[7]

隧穿氧化层及TopCon电池的制备方法 [P].

张旭冉 ;

陈庆敏 ;

卓倩武 .

中国专利 :CN118231527A ,2024-06-21

[8]

隧穿氧化层的制备方法、TOPCon电池的制备方法 [P].

叶静 ;

朱响彬 ;

张磊 ;

任勇 ;

荣道兰 .

中国专利 :CN119923008A ,2025-05-02

[9]

提高Topcon电池隧穿氧化层致密性的方法 [P].

叶文兰 ;

明伟辉 ;

朱江浩 ;

刘琦 .

中国专利 :CN120826073A ,2025-10-21

[10]

一种采用新型隧穿氧化层的TOPCon电池及其制备方法 [P].

杨志超 ;

王超 ;

宋灿 .

中国专利 :CN118380496A ,2024-07-23

← 1 2 3 4 5 →