TOPCON电池分步式双面隧穿poly层的制备方法及TOPCON电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410484254.9

申请日：

2024-04-22

公开(公告)号：

CN118315486A

公开(公告)日：

2024-07-09

发明(设计)人：

叶文兰马擎天明伟辉戎涛

申请人：

环晟光伏（江苏）有限公司

申请人地址：

214200 江苏省无锡市宜兴市宜兴经济技术开发区文庄路20号

IPC主分类号：

H01L31/18

IPC分类号：

H01L31/0216 H01L21/02

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

杨萌

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H01L 31/18申请公布日:20240709
2024-07-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/18申请日:20240422
2024-07-09	公开	公开

共 50 条

[1]

Topcon电池隧穿氧化层的制备方法、Topcon电池 [P].

叶文兰 ;

明伟辉 ;

王丹萍 ;

邢智聪 .

中国专利 :CN120835629A ,2025-10-24

[2]

TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池 [P].

王丹萍 ;

明伟辉 ;

朱江浩 .

中国专利 :CN120882138A ,2025-10-31

[3]

一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法及TOPCon电池 [P].

杜文轩 ;

伏进文 ;

何秋霞 .

中国专利 :CN118610311B ,2025-01-28

[4]

TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池 [P].

叶文兰 ;

郑立 ;

邢智聪 ;

朱江浩 .

中国专利 :CN120826054A ,2025-10-21

[5]

一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法及TOPCon电池 [P].

杜文轩 ;

伏进文 ;

何秋霞 .

中国专利 :CN118610311A ,2024-09-06

[6]

TOPCon双面电池的制备方法及由其制备得到的TOPCon双面电池 [P].

杜文轩 ;

伏进文 ;

谈锦彪 .

中国专利 :CN120282571A ,2025-07-08

[7]

隧穿氧化层及TopCon电池的制备方法 [P].

张旭冉 ;

陈庆敏 ;

卓倩武 .

中国专利 :CN118231527B ,2024-10-29

[8]

隧穿氧化层及TopCon电池的制备方法 [P].

张旭冉 ;

陈庆敏 ;

卓倩武 .

中国专利 :CN118231527A ,2024-06-21

[9]

一种TOPCon电池的poly叠层双钝化结构制备工艺及TOPCon电池 [P].

孟俊杰 ;

孙鹏 ;

刘飞 ;

赵刚 ;

张宇航 ;

丰平 ;

辛国军 ;

陈实 ;

王佃阁 .

中国专利 :CN119562643A ,2025-03-04

[10]

隧穿氧化层的制备方法、TOPCon电池的制备方法 [P].

叶静 ;

朱响彬 ;

张磊 ;

任勇 ;

荣道兰 .

中国专利 :CN119923008A ,2025-05-02

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