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TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411061767.5
申请日：
2024-08-02
公开(公告)号：
CN120826054A
公开(公告)日：
2025-10-21
发明(设计)人：
叶文兰 郑立 邢智聪 朱江浩
申请人：
环晟光伏（江苏）有限公司
申请人地址：
214203 江苏省无锡市宜兴市宜兴经济技术开发区文庄路20号
IPC主分类号：
H10F71/00
IPC分类号：
H10F77/30 H10F10/14
代理机构：
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人：
赵晴
法律状态：
公开
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-21 公开 公开
2025-11-07 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10F 71/00申请日:20240802
共 50 条
[1]
TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池 [P]. 
王丹萍 ;
明伟辉 ;
朱江浩 .
中国专利 :CN120882138A ,2025-10-31
[2]
Topcon电池隧穿氧化层的制备方法、Topcon电池 [P]. 
叶文兰 ;
明伟辉 ;
王丹萍 ;
邢智聪 .
中国专利 :CN120835629A ,2025-10-24
[3]
隧穿氧化层及TopCon电池的制备方法 [P]. 
张旭冉 ;
陈庆敏 ;
卓倩武 .
中国专利 :CN118231527B ,2024-10-29
[4]
隧穿氧化层及TopCon电池的制备方法 [P]. 
张旭冉 ;
陈庆敏 ;
卓倩武 .
中国专利 :CN118231527A ,2024-06-21
[5]
一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法及TOPCon电池 [P]. 
杜文轩 ;
伏进文 ;
何秋霞 .
中国专利 :CN118610311B ,2025-01-28
[6]
一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法及TOPCon电池 [P]. 
杜文轩 ;
伏进文 ;
何秋霞 .
中国专利 :CN118610311A ,2024-09-06
[7]
隧穿氧化层的制备方法、TOPCon电池及制备方法 [P]. 
李奇 ;
王文睿 ;
徐方振 ;
胡颖欣 .
中国专利 :CN119767829A ,2025-04-04
[8]
隧穿氧化层的制备方法、TOPCon电池的制备方法 [P]. 
叶静 ;
朱响彬 ;
张磊 ;
任勇 ;
荣道兰 .
中国专利 :CN119923008A ,2025-05-02
[9]
一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法 [P]. 
武啟强 ;
崔宁 ;
张伟 ;
褚君凯 ;
穆晓超 ;
王菲 ;
胡文敏 ;
李德蓉 ;
张洁 ;
贾慧君 .
中国专利 :CN118073475A ,2024-05-24
[10]
提高Topcon电池隧穿氧化层致密性的方法 [P]. 
叶文兰 ;
明伟辉 ;
朱江浩 ;
刘琦 .
中国专利 :CN120826073A ,2025-10-21
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