隧穿氧化层的制备方法、TOPCon电池及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311283998.6

申请日：

2023-09-28

公开(公告)号：

CN119767829A

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

李奇王文睿徐方振胡颖欣

申请人：

横店集团东磁股份有限公司

申请人地址：

322118 浙江省金华市东阳市横店工业区

IPC主分类号：

H10F71/00

IPC分类号：

C23C16/40 H10F10/14

代理机构：

杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250

代理人：

戴贤群

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省金华市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 71/00申请日:20230928
2025-04-04	公开	公开

共 50 条

[1]

TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池 [P].

王丹萍 ;

明伟辉 ;

朱江浩 .

中国专利 :CN120882138A ,2025-10-31

[2]

TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池 [P].

叶文兰 ;

郑立 ;

邢智聪 ;

朱江浩 .

中国专利 :CN120826054A ,2025-10-21

[3]

隧穿氧化层及TopCon电池的制备方法 [P].

张旭冉 ;

陈庆敏 ;

卓倩武 .

中国专利 :CN118231527B ,2024-10-29

[4]

隧穿氧化层及TopCon电池的制备方法 [P].

张旭冉 ;

陈庆敏 ;

卓倩武 .

中国专利 :CN118231527A ,2024-06-21

[5]

隧穿氧化层的制备方法、TOPCon电池的制备方法 [P].

叶静 ;

朱响彬 ;

张磊 ;

任勇 ;

荣道兰 .

中国专利 :CN119923008A ,2025-05-02

[6]

Topcon电池隧穿氧化层的制备方法、Topcon电池 [P].

叶文兰 ;

明伟辉 ;

王丹萍 ;

邢智聪 .

中国专利 :CN120835629A ,2025-10-24

[7]

一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法及TOPCon电池 [P].

杜文轩 ;

伏进文 ;

何秋霞 .

中国专利 :CN118610311B ,2025-01-28

[8]

一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法及TOPCon电池 [P].

杜文轩 ;

伏进文 ;

何秋霞 .

中国专利 :CN118610311A ,2024-09-06

[9]

一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法 [P].

武啟强 ;

崔宁 ;

张伟 ;

褚君凯 ;

穆晓超 ;

王菲 ;

胡文敏 ;

李德蓉 ;

张洁 ;

贾慧君 .

中国专利 :CN118073475A ,2024-05-24

[10]

隧穿氧化层及其制备方法和在制备TOPCon电池中的应用 [P].

蒋富辉 ;

明伟辉 ;

叶文兰 ;

王丹萍 .

中国专利 :CN120835632A ,2025-10-24

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