隧穿氧化层及TopCon电池的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410543570.9

申请日：

2024-05-06

公开(公告)号：

CN118231527B

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

张旭冉陈庆敏卓倩武

申请人：

无锡松煜科技有限公司

申请人地址：

214000 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房

IPC主分类号：

H01L31/18

IPC分类号：

H01L21/02 H01L21/67 C30B33/00

代理机构：

浙江金杜智源知识产权代理有限公司 33511

代理人：

葛天祥

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/18申请日:20240506
2024-10-29	授权	授权
2024-06-21	公开	公开

共 50 条

[1]

隧穿氧化层及TopCon电池的制备方法 [P].

张旭冉 ;

陈庆敏 ;

卓倩武 .

中国专利 :CN118231527A ,2024-06-21

[2]

TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池 [P].

王丹萍 ;

明伟辉 ;

朱江浩 .

中国专利 :CN120882138A ,2025-10-31

[3]

TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池 [P].

叶文兰 ;

郑立 ;

邢智聪 ;

朱江浩 .

中国专利 :CN120826054A ,2025-10-21

[4]

Topcon电池隧穿氧化层的制备方法、Topcon电池 [P].

叶文兰 ;

明伟辉 ;

王丹萍 ;

邢智聪 .

中国专利 :CN120835629A ,2025-10-24

[5]

隧穿氧化层的制备方法、TOPCon电池及制备方法 [P].

李奇 ;

王文睿 ;

徐方振 ;

胡颖欣 .

中国专利 :CN119767829A ,2025-04-04

[6]

隧穿氧化层的制备方法、TOPCon电池的制备方法 [P].

叶静 ;

朱响彬 ;

张磊 ;

任勇 ;

荣道兰 .

中国专利 :CN119923008A ,2025-05-02

[7]

一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法及TOPCon电池 [P].

杜文轩 ;

伏进文 ;

何秋霞 .

中国专利 :CN118610311B ,2025-01-28

[8]

一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法及TOPCon电池 [P].

杜文轩 ;

伏进文 ;

何秋霞 .

中国专利 :CN118610311A ,2024-09-06

[9]

一种隧穿氧化钝化层的制备方法、TOPCOn电池及制备方法 [P].

马红娜 ;

史金超 ;

张文辉 ;

王平 ;

孟庆超 ;

王子谦 ;

赵学玲 ;

翟金叶 ;

郎芳 ;

潘明翠 ;

王红芳 ;

赵亮 .

中国专利 :CN116093205B ,2025-11-04

[10]

提高Topcon电池隧穿氧化层致密性的方法 [P].

叶文兰 ;

明伟辉 ;

朱江浩 ;

刘琦 .

中国专利 :CN120826073A ,2025-10-21

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