一种隧穿氧化钝化层的制备方法、TOPCOn电池及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310130113.2

申请日：

2023-02-17

公开(公告)号：

CN116093205B

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

马红娜史金超张文辉王平孟庆超王子谦赵学玲翟金叶郎芳潘明翠王红芳赵亮

申请人：

英利能源发展有限公司英利能源（中国）有限公司

申请人地址：

071051 河北省保定市朝阳北大街3399号5号厂房227室

IPC主分类号：

H10F71/00

IPC分类号：

C23C16/40 C23C16/505 C23C16/52 C30B28/14 C30B29/06 H10F10/14

代理机构：

河北国维致远知识产权代理有限公司 13137

代理人：

张新利

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	授权	授权

共 50 条

[1]

TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池 [P].

王丹萍 ;

明伟辉 ;

朱江浩 .

中国专利 :CN120882138A ,2025-10-31

[2]

隧穿氧化层及TopCon电池的制备方法 [P].

张旭冉 ;

陈庆敏 ;

卓倩武 .

中国专利 :CN118231527B ,2024-10-29

[3]

隧穿氧化层及TopCon电池的制备方法 [P].

张旭冉 ;

陈庆敏 ;

卓倩武 .

中国专利 :CN118231527A ,2024-06-21

[4]

Topcon电池隧穿氧化层的制备方法、Topcon电池 [P].

叶文兰 ;

明伟辉 ;

王丹萍 ;

邢智聪 .

中国专利 :CN120835629A ,2025-10-24

[5]

一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法及TOPCon电池 [P].

杜文轩 ;

伏进文 ;

何秋霞 .

中国专利 :CN118610311B ,2025-01-28

[6]

一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法及TOPCon电池 [P].

杜文轩 ;

伏进文 ;

何秋霞 .

中国专利 :CN118610311A ,2024-09-06

[7]

隧穿氧化层的制备方法、TOPCon电池的制备方法 [P].

叶静 ;

朱响彬 ;

张磊 ;

任勇 ;

荣道兰 .

中国专利 :CN119923008A ,2025-05-02

[8]

TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池 [P].

叶文兰 ;

郑立 ;

邢智聪 ;

朱江浩 .

中国专利 :CN120826054A ,2025-10-21

[9]

隧穿氧化层的制备方法、TOPCon电池及制备方法 [P].

李奇 ;

王文睿 ;

徐方振 ;

胡颖欣 .

中国专利 :CN119767829A ,2025-04-04

[10]

隧穿氧化层及其制备方法和在制备TOPCon电池中的应用 [P].

蒋富辉 ;

明伟辉 ;

叶文兰 ;

王丹萍 .

中国专利 :CN120835632A ,2025-10-24

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