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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202211045387.3
申请日：
2022-08-30
公开(公告)号：
CN117672831A
公开(公告)日：
2024-03-08
发明(设计)人：
郑磊
孙欣
弓艳霞
刘超
陆韵峰
申请人：
中芯国际集成电路制造（天津）有限公司
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址：
300385 天津市西青区兴华道19号
IPC主分类号：
H01L21/266
IPC分类号：
H01L21/8238
H01L29/06
H01L27/092
代理机构：
北京市一法律师事务所 11654
代理人：
刘荣娟
法律状态：
公开
国省代码：
河北省
衡水市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-03-08 | 公开 | 公开 |
| 2024-03-26 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/266申请日:20220830 |