基于双层坩埚的磷化铟单晶生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410164286.0

申请日：

2024-02-05

公开(公告)号：

CN117702275B

公开(公告)日：

2024-04-19

发明(设计)人：

邵广育卜英瀚胡昌勇

申请人：

浙江康鹏半导体有限公司

申请人地址：

321112 浙江省金华市兰溪市兰江街道创新大道1199号

IPC主分类号：

C30B29/40

IPC分类号：

C30B11/00

代理机构：

杭州汇和信专利代理有限公司 33475

代理人：

薛文玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省金华市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/40申请日:20240205
2024-03-15	公开	公开
2024-04-19	授权	授权

共 50 条

[1]

基于双层坩埚的磷化铟单晶生长方法 [P].

邵广育 ;

卜英瀚 ;

胡昌勇 .

中国专利 :CN117702275A ,2024-03-15

[2]

一种磷化铟单晶的生长方法 [P].

段满龙 .

中国专利 :CN117845330A ,2024-04-09

[3]

可控磷化铟单晶生长装置及生长方法 [P].

朱建华 ;

钟勇 ;

曾平生 ;

王坚 ;

刘芳芳 ;

吴选高 ;

刘重伟 ;

彭彦 ;

黄大霜 .

中国专利 :CN117568915A ,2024-02-20

[4]

一种磷化铟单晶生长炉以及生长方法 [P].

李雪峰 ;

肖燕青 ;

囤国超 ;

杨海超 .

中国专利 :CN118814274A ,2024-10-22

[5]

一种磷化铟单晶的制备方法和磷化铟单晶生长用阶梯式坩埚 [P].

王金灵 ;

齐正阳 ;

陈伟杰 .

中国专利 :CN118773718A ,2024-10-15

[6]

可控磷化铟单晶生长装置 [P].

朱建华 ;

曾平生 ;

王坚 ;

刘芳芳 ;

刘重伟 ;

吴选高 ;

彭彦 ;

黄大霜 .

中国专利 :CN221956232U ,2024-11-05

[7]

一种磷化铟单晶的生长装置及生长方法 [P].

庞昊 ;

谢雨凌 .

中国专利 :CN113774489A ,2021-12-10

[8]

一种磷化铟单晶的生长方法及生长装置 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

胡丹 .

中国专利 :CN104911690B ,2015-09-16

[9]

一种VGF和VB联动的磷化铟单晶生长方法 [P].

韦华 ;

叶晓达 ;

赵兴凯 ;

王顺金 ;

韩家贤 ;

孙清 ;

杨春柳 ;

牛应硕 ;

李芳艳 ;

柳廷龙 ;

刘汉保 ;

陈飞宏 ;

李世强 ;

骆金秋 .

中国专利 :CN119145039A ,2024-12-17

[10]

一种磷化铟单晶的生长装置及其生长方法 [P].

卢鹏荐 ;

曾小龙 ;

张林 ;

袁珊珊 .

中国专利 :CN118854457A ,2024-10-29

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