一种磷化铟单晶的制备方法和磷化铟单晶生长用阶梯式坩埚

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411083679.5

申请日：

2024-08-08

公开(公告)号：

CN118773718A

公开(公告)日：

2024-10-15

发明(设计)人：

王金灵齐正阳陈伟杰

申请人：

广东先导微电子科技有限公司

申请人地址：

511517 广东省清远市高新区创兴三路16号A车间

IPC主分类号：

C30B11/00

IPC分类号：

C30B29/40

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

林哲生

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/00申请日:20240808
2024-10-15	公开	公开

共 50 条

[1]

磷化铟单晶和磷化铟单晶衬底 [P].

桥尾克司 ;

鸿池一晓 ;

柳泽拓弥 .

日本专利 :CN112204175B ,2024-03-26

[2]

磷化铟单晶和磷化铟单晶衬底 [P].

桥尾克司 ;

鸿池一晓 ;

柳泽拓弥 .

中国专利 :CN112204175A ,2021-01-08

[3]

磷化铟单晶的制备方法以及磷化铟单晶 [P].

摆易寒 ;

沈桂英 ;

赵有文 ;

谢辉 ;

卢伟 ;

李晨慧 ;

杨文文 ;

吕鑫雨 ;

范江涛 .

中国专利 :CN119776991A ,2025-04-08

[4]

磷化铟单晶衬底以及磷化铟单晶的制造方法 [P].

木户优花 ;

坂本良二 ;

柳泽拓弥 ;

善积祐介 ;

桥尾克司 .

日本专利 :CN119768572A ,2025-04-04

[5]

基于双层坩埚的磷化铟单晶生长方法 [P].

邵广育 ;

卜英瀚 ;

胡昌勇 .

中国专利 :CN117702275A ,2024-03-15

[6]

基于双层坩埚的磷化铟单晶生长方法 [P].

邵广育 ;

卜英瀚 ;

胡昌勇 .

中国专利 :CN117702275B ,2024-04-19

[7]

一种磷化铟单晶的生长方法 [P].

段满龙 .

中国专利 :CN117845330A ,2024-04-09

[8]

可控磷化铟单晶生长装置 [P].

朱建华 ;

曾平生 ;

王坚 ;

刘芳芳 ;

刘重伟 ;

吴选高 ;

彭彦 ;

黄大霜 .

中国专利 :CN221956232U ,2024-11-05

[9]

磷化铟基板、磷化铟单晶及其制造方法 [P].

川瀬智博 .

中国专利 :CN1784514A ,2006-06-07

[10]

一种磷化铟单晶的制备方法 [P].

王金灵 ;

齐正阳 ;

陈伟杰 .

中国专利 :CN118773717A ,2024-10-15

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